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실리콘나이트라이드 막을 이용한 실리콘 나노 구조의형성 방법

  • 기술번호 : KST2015076269
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고진공하에서 표면 화학 반응을 통하여 실리콘 기판 상에 실리콘나이트라이드 막을 형성하고, 이를 이용한 실리콘 나노 구조의 형성 방법에 관한 것이다.종래 나노 구조 제조 방법은 고에너지의 전자빔을 사용하여 패턴을 형성하였는데, 전자빔 리소그래피 패턴 형성 시에 많은 시간이 소요되었고 이에 따라 많은 비용이 요구되었다. 또한 이 방법은 표면 불순물이 많이 발생되는 문제점이 있었다.따라서, 본 발명은 초고진공하에서 표면 화학 반응을 이용하여 실리콘나이트라이드 섬을 형성하고, 상기 나노미터 크기의 실리콘나이트라이드 섬을 산소에 대한 마스크로 이용하여 초고순도 실리콘 나노 필라를 형성함으로서, 적은 비용으로 짧은 시간 내에 공정을 수행할 수 있다. 또한 실리콘나이트라이드 섬의 크기, 밀도 등의 조절이 가능하며, 초고순도의 실리콘 나노 구조를 형성할 수 있는 방법을 제시한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/033 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1019970058523 (1997.11.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0250448-0000 (2000.01.04)
공개번호/일자 10-1999-0038695 (1999.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000501) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박강호 대한민국 대전광역시 유성구
2 하정숙 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184796-58
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184797-04
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184798-49
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 1999.10.08 수리 (Accepted) 9-1-1999-0000388-07
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0382809-79
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

초고진공하에서 실리콘 기판 표면에 청정 공정을 실시하고, 이온건을 이용한 저에너지의 질소 이온을 생성하여 상기 실리콘 기판에 주입하는 단계와,

이온 주입된 상기 실리콘 기판에 제 1 열처리를 실시한 후, 상온으로 냉각하여 단일층의 실리콘나이트라이드 섬을 형성하는 단계와,

상기 실리콘나이트라이드 섬을 마스크로 이용한 상기 실리콘 기판 표면을 750 내지 800℃로 유지하면서 산소 기체를 주입하여 실리콘 부분의 선택적인 식각을 통해 실리콘 나노 필라를 형성하는 단계와,

상기 실리콘 나노 필라 표면에 100 내지 200 eV의 에너지를 갖는 반응성 이온을 주입시켜 상기 실리콘나이트라이드 섬을 제거하고, 800 내지 900℃에서 제 2 열처리하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘나이트라이드 막을 이용한 실리콘 나노 구조의 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 질소 이온 주입은 상온에서 100 내지 200eV의 질소 이온을 주입하고, 950 내지 980℃에서 8 내지 10분 정도 사후 열처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘나이트라이드 막을 이용한 실리콘 나노 구조의 형성 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 750 내지 800℃로 하고, 상기 산소 기체의 압력은 1x10-7 내지 1x10-6 torr인 것을 특징으로 하는 실리콘나이트라이드 막을 이용한 실리콘 나노 구조의 형성 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 실리콘나이트라이드 막 제거를 위한 상기 반응성 이온은 저에너지의 CF4+인 것을 특징으로 하는 실리콘나이트라이드 막을 이용한 실리콘 나노 구조의 형성 방법

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