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격자도움수직결합형반도체광필터

  • 기술번호 : KST2015076333
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야광소자 제조 분야에 관한 것임.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거할 수 있는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터를 제공하고자 함. 3. 발명의 해결 방법의 요지도파로 상에 TE모드에 해당하는 격자주기와 TM모드에 해당하는 격자주기를 동시에 설치하되 공간적으로 분리하고, 각각의 격자가 존재하는 도파로에 전류 주입의 방법 또는 전기장 효과에 의해 독립적인 파장 가변이 가능케 함으로써 도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거한다. 4. 발명의 중요한 용도광소자에 이용됨.격자도움, 수직결합, 광 필터, TM 편광, TE 편광, 격자층, 주기, 반도체
Int. CL G02B 5/20 (2006.01)
CPC G02B 6/29361(2013.01) G02B 6/29361(2013.01) G02B 6/29361(2013.01) G02B 6/29361(2013.01) G02B 6/29361(2013.01)
출원번호/일자 1019970050791 (1997.10.01)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0277698-0000 (2000.10.12)
공개번호/일자 10-1999-0030547 (1999.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20010115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.10.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김덕봉 대한민국 부산광역시 동구
2 오광룡 대한민국 대전광역시 유성구
3 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구
4 박찬용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.10.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0160940-86
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.10.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0160939-39
3 특허출원서
Patent Application		 1997.10.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0160938-94
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0118437-55
7 의견서
Written Opinion		 2000.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5232359-25
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.07.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5232360-72
9 등록사정서
Decision to grant		 2000.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0250530-67
10 FD제출서
FD Submission		 2000.10.13 수리 (Accepted) 2-1-2000-5164343-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 차례로 적층된 제1 도전형의 제1 도파로층;

상기 제1 도파로층 상에 형성되며 도파로 방향으로 TE 편광영역 및 TM 편광영역을 구비하는 제1 도전형의 제1 클래딩층;

상기 제1 클래딩층 상에 차례로 적층된 제2 도전형의 제 2 도파로층, 제2 도전형의 제2 클래딩층;

상기 제1 클래딩층 내부의 상기 TE 편광 영역에 위치하며, TE 편광에 대응하는 주기로 배열된 제1 격자층;

상기 제1 클래딩층 내부의 상기 TM 편광 영역에 위치하며, TM 편광에 대응하는 주기로 배열된 제2 격자층; 및

상기 TE 편광영역 및 TM 편광영역에 각각 연결된 제1 및 제2 전극

을 포함하는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터

2 2

제1 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 차례로 적층된 제1 도전형의 제1 도파로층;

상기 제1 도파로층 상에 형성되며 도파로 방향으로 TE 편광영역 및 TM 편광영역을 구비하는 제1 도전형의 제1 클래딩층;

상기 제1 클래딩층 상에 차례로 적층된 제2 도전형의 제 2 도파로층, 제2 도전형의 제2 클래딩층;

상기 제1 클래딩층 내부의 상기 TE 편광 영역에 위치하며, TE 편광된 광의 굴절율이 상기 제1 도파로층 및 제2 도파로층에서 neff,TE,WG1 및 neff,TE,WG2 일 때 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 반도체 기판은 n형 InP 기판이고,

상기 제1 도파로층, 상기 제1 격자층 및 상기 제2 격자층 각각은 n형 InGaAsP층이고,

상기 제1 클래딩층은 n형 InP층이고,

상기 제2 도파로층은 p형 InGaAsP층이고,

상기 제2 클래딩층은 p형 InP층인 것을 특징으로 하는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 격자도움 수직결합형 반도체 광필터는,

0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.