| 요약 |
본 발명은 민생용 및 산업용 전자기기에 사용되는 마이크로파 대역 부품용 소재에 관한 것으로, 낮은 소결온도를 지니고 있으며 포화자화의 제어가 용이하고 낮은 강자성공명선폭과 양호한 큐리온도를 지닌 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 조성물, 이를 이용한 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 마이크로파 소자용 자성체 세라믹 조성물은, 산화이트륨, 산화철을 주성분으로 하고, 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물을 부성분으로 하며, 하기 화학식 1로 표시되고, 본 발명에 따른 마이크로파 소자용 자성체 세라믹은, 하기 화학식 1에 따라, 산화이트륨, 산화철을 혼합하여 하소하고, 산화붕소, 산화비스무스, 산화아연, 산화구리, 산화아연과 산화붕소의 화합물, 산화구리와 산화붕소의 화합물을 재혼합한 후, 성형 및 소결하여 제조된 것으로, 상온에서 800∼1,800 G의 포화자화와 사용온도 20∼120℃에서 0.3 %/℃ 이하의 포화자화 온도계수 및 60 Oe 이하의 강자성공명선폭을 가지면서 소결조제를 첨가하여 1250℃이하로 소결온도를 낮추는 것을 특징으로 한다.(화학식 1)Y〈SB〉3-x〈/SB〉Fe〈SB〉5+x〈/SB〉O〈SB〉12〈/SB〉이때, -0.2≤x≤0.2, 0＆lt;B〈SB〉2〈/SB〉O〈SB〉3〈/SB〉≤5(wt%), 0＆lt;Bi〈SB〉2〈/SB〉O〈SB〉3〈/SB〉≤5(wt%), 0＆lt;ZnO≤5(wt%), 0＆lt;CuO≤5(wt%), 0＆lt;ZnB〈SB〉2〈/SB〉O〈SB〉4〈/SB〉≤5(wt%), 0＆lt;CuB〈SB〉2〈/SB〉O〈SB〉4〈/SB〉≤5(wt%)이다.
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