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쌍극자 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015076339
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초자기 정렬(super-self-aligned) 쌍극자 트랜지스터(bipolar transistor) 제조 방법에 관한 것이다. 종래 쌍극자 트랜지스터 제조방법에서 베이스 에피 박막을 성장한 후에 측벽 산화규소막을 형성함으로써 발생되는 건식 식각으로 인한 에미터-베이스 계면 손상을 방지하기 위해, 본 발명에서는 측벽 질화규소막을 먼저 형성한 후 베이스 박막을 성장함으로써, 에미터-베이스 접합 누설 전류를 줄이고, 한편 이로 인한 고속 고주파 동작 특성의 저하를 방지할 수 있으며, 베이스-컬렉터 접합 용량을 이론적인 한계로 최소화 시킬 수 있는 고속 고주파 성능이 우수한 트랜지스터 제조 공정 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/331 (2006.01)
CPC H01L 29/66272(2013.01) H01L 29/66272(2013.01) H01L 29/66272(2013.01)
출원번호/일자 1019970055648 (1997.10.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0241353-0000 (1999.11.03)
공개번호/일자 10-1999-0034150 (1999.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.10.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수민 대한민국 대전광역시 유성구
2 조덕호 대한민국 대전광역시 유성구
3 염병렬 대한민국 대전광역시 유성구
4 한태현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1997-0176242-44
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1997-0176244-35
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1997-0176243-90
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0292135-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

쌍극자 트랜지스터 제조방법에 있어서,

규소 기판에 컬렉터 매몰층을 형성하고, 산화규소막, 질화규소막, 베이스 전극용 다결정규소 박막, 산화규소막, 그리고 질화규소막을 연속적으로 도포하는 제1 공정과;

질화규소막, 산화규소막, 그리고 다결정 규소 박막을 연속적으로 식각하고, 상기 산화규소막을 습식 식각법에 의해 과식각하여 산화규소막 언더 컷(undercut)을 형성한 후, 연결용 다결정 규소 박막을 증착하고 건식 식각하여 상기 언더 컷에 연결용 다결정 규소 박막을 채워 넣고 열 산화규소막을 성장한 다음, 질화규소막과 산화규소막을 식각하는 제 2 공정과;

컬렉터를 선택적 단결정 성장법을 이용하여 성장하고, 열 산화규소막을 성장한 후, 측벽 질화규소막을 형성하는 제 3 공정과;

상기 열 산화규소막을 습식 식각법으로 식각하여 제거한 후 노출된 규소 표면에만 선택적으로 에피 베이스 박막을 성장하는 제 4 공정과; 그리고

에미터 다결정 규소 전극을 형성하고, 금속 배선 공정을 하는 제 5 공정을 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 에피 베이스 박막으로 규소 박막 혹은 규소 게르마늄 혹은 규소/규소 게르마늄 다층 박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 다결정 규소 박막이 금속성 박막인 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 금속성 박막이 티타늄 실리사이드(TiSi2), 티타늄 나이트라이드(TiN), 코발트 실리사이드(CoSi2)인 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

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