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결정 결함과 사면이 없는 선택적 단결정 박막 성장방법

  • 기술번호 : KST2015076344
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판상에 선택적 단결정 박막 성장 시, 단결정 박막과 산화규소막의 계면에 결정 결함(crystal defect) 및 사면(facet)이 존재하는 것을 방지할 수 있는 선택적 단결정 성장방법을 제공한다.본 발명에 따른 선택적 단결정 박막 성장방법은 반도체 기판상에 제 1 산화규소막, 제 1 질화규소막, 제 2 산화규소막 및 제 2 질화규소막을 차례로 도포하고, 상기 형성된 규소막들을 소정의 폭으로 제거하여 반도체 기판을 노출시키는 개구를 형성하되, 상기 제 2 산화규소막을 다른 규소막 보다 큰 폭으로 제거하여 상기 개구의 측벽이 오목부를 가지도록 형성하고, 노출된 반도체 기판상에 단결정박막을 형성한 후, 이 단결정 박막의 표면에 산화규소막을 형성하고, 제 2 질화규소막을 제거하는 동시에, 노출된 단결정 박막의 측면부를 제거한 후, 그 측면을 열산화 하여 측벽 열 산화규소막을 형성한 후, 기판의 전면에 반도체 박막을 형성하고, 단결정 박막상의 산화규소막과 제 2 산화규소막상의 반도체박막을 제거하여 표면을 평탄화한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/76262(2013.01) H01L 21/76262(2013.01) H01L 21/76262(2013.01) H01L 21/76262(2013.01)
출원번호/일자 1019970061587 (1997.11.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243348-0000 (1999.11.16)
공개번호/일자 10-1999-0041056 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수민 대한민국 대전광역시 유성구
2 조덕호 대한민국 대전광역시 유성구
3 염병렬 대한민국 대전광역시 유성구
4 한태현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194172-68
2 특허출원서
Patent Application		 1997.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194170-77
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194171-12
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0318326-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 기판상에 제 1 산화규소막, 제 1 질화규소막, 제 2 산화규소막 및 제 2 질화규소막을 도포한 후, 상기 제 2 질화규소막을 소정의 폭으로 식각하는 공정과, 상기 제 2 질화규소막을 통해 노출된 상기 제 2 산화규소막을 식각하되, 상기 제 2 질화규소막의 폭보다 넓은폭으로 식각하는 공정과,

상기 제 1 질화규소막과 제 1 산화규소막을 상기 제 2 질화막과 동일한 폭으로 식각하여 반도체 기판을 노출시키는 개구를 형성하는 공정과,

상기 개구를 통해 노출된 반도체 기판상에 단결정 박막을 형성한 후, 열산화하여 그의 표면에 열산화막을 형성하는 공정과,

상기 제 2 질화규소막을 제거하는 동시에, 상기 제 2 질화규소막의 제거에 의해 노출된 상기 단결정 박막의 측면부를 제거하여 제 1 질화규소막을 소정의 폭으로 노출시키는 공정과,

상기 단결정 박막의 노출된 측면부를 열산화하여 얇은 측벽 열 산화규소막을 형성하고, 기판의 전면에 반도체 박막을 도포한 후, 상기 반도체 박막의 표면부분과 열산화막을 제거하여 기판의 표면을 평탄화하는 공정을 포함하는 선택적 단결정 박막 성장방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 산화규소막은 1차로 이방성 식각하고, 2차로 등방성 식각하여 제 2 질화규소막의 하부로 측면 식각되도록 하는 것을 특징으로 하는 선택적 단결정 박막 성장방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 제 2 질화규소막의 측면 식각 깊이는 100nm∼5000nm인 것을 특징으로 하는 선택적 단결정 박막 성장방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 반도체 박막 대신에 다결정 규소 박막 혹은 산화규소막 혹은 질화규소막을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 단결정 박막 성장방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 측벽 열 산화규소막은 50nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택적 단결정 성장방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 측벽 열 산화규소막이 제 2 산화규소막과 접하지 않는 것을 특징으로 하는 선택적 단결정 성장방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.