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단일칩 마이크로웨이브 집적회로의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015076371
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화합물 반도체 에피택셜 기판에 단일칩 마이크로웨이브 집적회로(MMIC; Microwave Monolithic Integrated Circuit)를 제작하는 방법이 개시된다. 본 발명은 반절연성 기판 상에 수동소자의 제작을 위한 완충층(buffer layer) 및 활성층과, 능동소자의 제작을 위한 제1 금속층, 유전체층 및 제2 금속층을 에피택셜 성장(epitaxial growing) 방법을 이용하여 동일 챔버내에서 연속적으로 성장시키는 단계, 제2 금속층의 식각 단계, 유전체층의 식각 단계, 능동소자 채널 층을 정의하는 단계, 능동소자의 소오스 및 드레인 증착 단계, 게이트 증착을 위한 리세스 에칭 단계, 및 게이트형성 단계를 구비하여, MMIC의 제조 공정을 획기적으로 단순화시킨다.
Int. CL H01L 21/78 (2006.01)
CPC H01L 21/02436(2013.01) H01L 21/02436(2013.01) H01L 21/02436(2013.01)
출원번호/일자 1019970069505 (1997.12.17)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0248415-0000 (1999.12.17)
공개번호/일자 10-1999-0050386 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 대전광역시 유성구
2 김민건 대한민국 대전광역시 유성구
3 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217582-58
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217580-67
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217581-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0358780-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반절연성 기판 상에 수동소자의 제작을 위한 완충층(buffer layer) 및 활성층과, 능동소자의 제작을 위한 제1 금속층, 유전체층 및 제2 금속층을 에피택셜 성장(epitaxial growing) 방법을 이용하여 동일 챔버내에서 연속적으로 성장시키는 단계;

상기 능동소자의 활성영역(active region)을 정의하기 위한 마스크를 이용하여 제2 금속층의 일부를 제거하기 위한 제2 금속층의 식각단계;

동일 마스크를 사용하여 상기 유전체층을 제거하는 유전체층의 식각단계;

상기 제1 금속층을 제거한 후 상기 채널층의 격리를 위한 식각을 수행하는 능동소자의 채널층 정의 단계;

상기 채널층 상에 능도소자의 소오스/드레인을 형성하는 단계;

능동소자의 게이트 증착을 위한 상기 채널층의 리세스 에칭 단계; 및

게이트 증착 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 단일칩 마이크로웨이브 집직회로의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 능동소자 제작을 위한 유전층이,

동일한 에피택셜 성장 장비내에서 연속 공정을 통하여 형성될 수 있도록 비화 알루미늄(AsAl)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 단일칩 마이크로웨이브 집적회로의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 MMIC용 능동소자 제작을 위한 제1 및 제2 금속층이,

동일 금속으로 구성되며, 상기 수동소자용 에피택셜 층과의 결정성 향상을 위해, 에피택셜 성장장비에서 형성이 가능한 인듐, 갈륨, 및 알루미늄 중의 어느 하나의 금속으로 구성됨을 특징으로 하는 MMIC의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.