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반도체 기판 상에 형성된 메사식각된 이종접합 구조의 활성층과, 상기 활성층 주변에 흐르는 누설전류를 차단하기 위한 전류차단층과, 이 전류차단층 위에 금속을 증착하기 위한 오옴 접촉층이 형성된 평면 매립형 이종접합 구조를 갖는 반도체 레이저에 있어서, 상기 전류차단층은, 제1의 p 형 전류차단층 위에 제1의 n형 전류차단층, 제2의 p형 전류차단층, 제2의 n형 전류차단층, p형 클래드층이 순차로 형성된 구조(p-n-p-n-p)를 가지는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1의 n형 전류차단층은 상기 p형 클래드층의 유효굴절율을 낮춤과 동시에 상기 활성층 측면을 통해 흐르는 누설전류를 감소시키기 위해 최대한 활성층과 가깝게 형성된 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 의 n형 전류차단층은, 상기 활성층의 누설전류를 차단함과 동시에 상기 활성층으로부터의 높이가 상기 p형 클래드층에 의해 변형되는 광의 형태를 바로 잡아주기 위한 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 구조
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평면 매립형 반도체 제조방법에 있어서, 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각의 제 1 공정과; 활성층 영역으로의 전류 주입을 위하여 활성층 주변에 전류차단층을 제 1 차 재성장하는 제 2 공정과; 활성층 영역 위의 클래드층과 오옴접촉층을 형성하기 위한 제 2 차 재성장하는 제 3 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 1 공정은 n형 InP 기판(23) 상에 이종접합 구조의 활성층(22)과 p형 InP 클래드층(21)을 액상결정성장 및 유기금속화학증착 장비를 이용하여 성장시키는 제 1 단계와; n형 InP 기판(23) 상에 이종접합 구조의 활성층(22)과 p형 InP 클래드층(21)을 성장시킨 후 절연막(20)을 증착하고 메사 형성을 위한 스트라이프를 형성시키는 제 2 단계와; 상기 절연막을 식각 마스크로 하여 메사식각을 수행하는 제 3 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 구조의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 2 공정은 전류차단층을 재성장시키기 위해, 재성장층을 p형 InP층(24), n형 InP층(25), p형 InP층(26), n형 InP층(27)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 구조의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 n형 전류차단층(25)은 활성층 측면을 통해 흐르는 누설전류를 줄여주기 위해 최대한 활성층과 가깝게 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 구조의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 2 n형 전류차단층(27)은 활성층으로부터의 높이를 p형 InP 클래드층에 의해 변형되는 광의 형태를 바로 잡아 주기 위한 높이로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 구조의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 제 3 공정은 메사식각을 위해 사용된 절연막(20)을 제거하는 제 1 단계와; 상기 절연막(20) 제거 후 p형 InP 클래드층(28)과 InGaAs 오옴접촉층을 성장시키는 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 구조의 제조방법
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