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인듐갈륨비소/갈륨비소 양자세선 제조방법

  • 기술번호 : KST2015076473
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs) 양자세선(quantum wire)을 수직으로 적층(積層)시켜 양자효율을 증대시킬 수 있는 양자세선 구조를 제공한다. 본 발명에 의한 양자세선의 제조방법에 따르면 V-홈이 형성된 갈륨비소 기판상의 하부부분이 날카로운 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정 조건으로 갈륨비소 장벽층을 형성하고, 그 위에 하부부분이 둥근 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정조건으로 인듐갈륨비소 활성층을 복수회 교대로 성장하여 양자 세선을 제조한다. 이와 같은 방법에 의한 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs)의 적층 구조로 형성되는 양자 세선은 격자 부정합에 의한 스트레인 (strain)을 가지는 구조로서 양자세선 레이저 제작시 스트레인 효과에 의해 우수한 특성을 나타낸다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1019970063248 (1997.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243388-0000 (1999.11.16)
공개번호/일자 10-1999-0042428 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성복 대한민국 대전광역시 유성구
2 노정래 대한민국 대전광역시 유성구
3 이일항 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0199103-90
2 특허출원서
Patent Application		 1997.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0199102-44
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0199104-35
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0332212-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

(100)면 방향을 가지는 갈륨비소기판의 소정영역을 식각하여 (111)면 방향을 가지는 V-홈을 형성하는 단계와,

상기 갈륨비소 기판위에 V-홈의 하부표면이 날카로운 형태를 가지는 성장조건으로 갈륨비소 장벽층을 형성하는 단계와,

상기 갈륨비소 장벽층위에 인듐의 이동을 증대시키는 성장조건에서 V-홈의 하부표면이 둥근 형태를 가지도록 인듐갈륨비소 활성층을 형성하는 단계를 포함하며,

상기 갈륨비소 장벽층과 인듐갈륨비소 활성층을 형성하는 단계를 복수회 실시하는 것을 특징으로 하는 인듐갈륨비소/갈륨비소 양자세선 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 갈륨비소 장벽층은 원료가스로서 1-에칠아신과 3-에칠갈륨을 사용하며, 450℃의 성장 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 인듐갈륨비소 활성층은 원료 가스로서 3-에칠갈륨, 3-메칠 인듐((CH4)3In)과 1-에칠아신을 사용하여 450℃의 성장온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 양자 세선 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.