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화합물반도체 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor ; HBT)를 이용한 전력소자나 각종 고성능 MMIC를 제작하는 방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판상에 HBT 에피기판을 제작하는 제1 단계와; HBT를 제작하는 중에 오믹 접촉 형성을 위해 에미터, 베이스, 컬렉터 영역을 각각 정의하는 제2 단계; 상기 공정을 통하여 정의된 고농도로 불순물이 도핑된 n형 에미터, p형 베이스, n형 컬렉터의 화합물 반도체 상에 ti/WNx/WNx->0/W의 다층구조 오믹접촉 전극을 동시에 형성시키는 제 3 단계 및; 소자간 분리를 하고, 유전체 절연막과 패드를 형성시키는 제4 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 오믹 접촉 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 HBT 에피택셜 기판을 형성하는 제1 단계는, 반절연성 화합물 반도체 기판위에 기판으로부터의 오염이나 격자결함을 방지하기 위해 완충층을 성장하는 공정; 및 상기 완충층 상부에 부켈렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 에미터 캡층을 에피택셜 성장방법을 이용하여 순차적으로 성장시키는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 오믹 접촉 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 구조의 오믹 접촉 전극을 동시에 형성하기 위한 제3 단계는, 결과물 전면에 텅스텐계 4중층을 반응성 스퍼터링 방법을 이용하여 연속적으로 증착하는 제1 공정; 결과물 전면에 티타늄과 백금으로 이루어진 이중층(Ti/Pt) 금속을 베이스, 에미터 및 컬렉터 영역상에 선택적으로 형성하는 제2 공정; 및 상기 이중층을 식각 마스크로 이용하여 상기 텅스텐계 4중층을 식각하는 제3 공정을 포함하여 6층 구조의 오믹 전극을 동시에 형성함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 오믹접촉 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 텅스텐계 4중층은, 상기 기판과의 접착성 향상을 위해 기판으로부터 제1층에 티타늄(Ti) 금속을, 내열성 향상 및 기판에 대한 응력(stress)을 감소시키기 위해 제2층에 질화텅스텐(WNx) 금속을, 제3층 금속으로서 전기적 저항이 매우 낮은 질소의 조성경사를 갖는 질화텅스텐(WNx→0) 금속을, 제4층에 텅스텐(W) 금속을 사용함으로써, 높은 기판 접착성, 낮은 전기 저항, 고온 안정성을 구현하도록 한 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 오믹 접촉 형성방법
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제4항에 있어서, 상기 제1층의 티타늄(Ti) 금속은 약 수 백 Å의 두께를, 상기 제2층의 질화텅스텐 금속은 대략 1000~1500Å 두께 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 오믹 접촉 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 제3 공정의 식각 단계는, 화합물반도체 기판 손상을 최소화할 수 있도록 화합물반도체와의 식각 선택비가 큰 CF4, C2F6, SF6, NF3, CHF3 등의 조합으로 이루어진 개스 플라즈마를 사용함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 오믹 접촉 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 오믹 접촉 전극을 동시에 형성하는 제3 단계후, 약500℃ 정도의 온도에서 급속 열처리(rapid thermal alloying; RTA)하는 공정을 더 부가함을 특징으로하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 오믹 접촉형성방법
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