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실리콘 양자점 형성방법

  • 기술번호 : KST2015076500
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 테라급 이상의 반도체 소자에 적용가능한 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 산화막상에 금속-실리콘 합급층을 형성하고, 이를 열처리하여 미세 실리콘 결정립을 형성하고, 금속을 식각하여 실리콘 산화막상에 실리콘 양자점을 형성한다. 본 발명에 의해 형성되는 실리콘 결정립은 단결정급 결정특성을 갖는 양자점으로서 형성되어, 차세대 나노소자 제조를 위해 적용될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01)
CPC H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01)
출원번호/일자 1019970069569 (1997.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249813-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0050450 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
2 김윤태 대한민국 대전광역시 유성구
3 전치훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 김보우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217774-17
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217776-19
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217775-63
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0375422-49
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판(10)상에 실리콘 산화막(12)을 형성하고, 실리콘 산화막상에 Al-Si 합금층을 증착하는 단계와,

상기 Al-Si 합금층(13)을 열처리하여 실리콘 결정립(16)을 형성하는 단계와,

상기 Al-Si 합금층(13)중의 Al을 식각하는 단계로 이루어지는 실리콘 양자점 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, Al-Si 합금층(13)은 Al-Si 합금 타겟을 이용한 스퍼터링법, Al 및 Si등 2개의 타겟을 이용한 코 스퍼터링(co-sputtering)법, Al-Si 합금 타겟을 이용한 이바포레이션(evaporation)법, Al 및 Si 등 2개의 타겟을 이용한 코이바포레이션(co-evaporation)법, Al 및 Si 소오스(source)를 사용한 화학기상증착법, 스퍼터링, 이바포레이션 및 화학기상증착법등을 이용하여 Al, Si층을 다층(multi-layer)으로 증착하는 방법중 어느하나의 방법으로 형성하는 실리콘 양자점 형성방법

3 3

실리콘 양자점을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,

실리콘 기판(20)상에 필드 절연막(27)을 형성하여 활성영역과 비활성영역을 정의 하는 단계와,

상기 활성영역에 소오스/드레인 영역(21)을 형성하는 단계와,

상기 활성영역상에 터널 산화막(22)을 형성하고, 그 위에 Al-Si 합금층을 형성하고,상기 합금층을 열처리하여 실리콘 미세 결정립(26)을 형성하고, 합금층중의 Al을 식각하여 제거하여 터널 산화막상에 실리콘 양자점을 형성하는 단계와,

상기 실리콘 미세 결정립위에 조절 산화막(24)과 도체층을 형성하고, 사진식각법으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 양자점을 이용한 반도체 소자 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서, Al-Si 합금층(13)의 Si 비율을 50%이내로 하는 실리콘 양자점 형성 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 급속열처리장치(RTA) 또는 전기로를 사용하여 수행하는 실리콘 양자점 형성방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 합금층내의 Al을 습식 식각 또는 플라즈마 식각법으로 제거하는 실리콘 양자점 형성방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 합금층을 실리콘 PPT 기법이 적용 가능한 금속-실리콘 합금으로 형성하는 실리콘 양자점 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.