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바이폴라 뉴럴 타입 셀 회로

  • 기술번호 : KST2015076504
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이폴라 소자를 이용한 뉴럴타입 셀 회로에 관한 것으로, 특히 많은 실리콘 면적과 빠른 속도가 요구되는 신경회로망 회로에 사용되는 뉴럴 타입 셀 회로에 관한 것이다.본 발명의 목적은 바이폴라 소자를 사용하여 집적도가 높고 속도가 빠른 뉴럴 타입 셀 회로를 구현하는데 있다. 바이폴라 소자를 사용하여 구성한 뉴럴 타입 셀 회로는 외부전압이 주어질 때 발진 파형을 발생하는 발진회로부와, 상기 발진 회로부에서 발생된 발진 파형을 수신하고, 가중치 입력 레벨에 따라 펄스 듀티 싸이클을 조정하는 가중치 회로부와, 상기 가중치 회로부의 출력을 수신하고, 상기 가중치 회로부의 출력신호의 펄스 듀티 사이클에 따라 캐패시터에 전하를 충전시키는 합산회로부로 구성된다.
Int. CL H01L 27/06 (2006.01)
CPC H01L 27/0635(2013.01) H01L 27/0635(2013.01)
출원번호/일자 1019980015488 (1998.04.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0268180-0000 (2000.07.11)
공개번호/일자 10-1999-0081492 (1999.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.04.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신희천 대한민국 대전광역시 유성구
2 곽명신 대한민국 대전광역시 유성구
3 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0049135-56
2 특허출원서
Patent Application		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0049134-11
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0049136-02
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0149623-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055004-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

발진 파형을 발생하는 발진회로, 상기 발진 회로에서 발생된 발진 파형을 가중치 입력 레벨에 따라 펄스 듀티 싸이클을 조정하는 가중치 회로 및 상기 가중치 회로의 펄스 듀티 사이클에 따라 캐패시터에 전하를 충전시키는 합산회로로 구성하되,

상기 가중치 회로는 발진회로의 입력신호를 수신하고, 제 1 전원이 제 1 저항을 통해 콜렉터에 연결되는 제 1 트랜지스터와,

상기 제 1 트랜지스터의 에미터에 콜렉터가 접속되고, 가중치 입력이 베이스에 연결되며, 에미터는 제 2 저항을 통해 제 2 전원단자에 연결된 제 2 트랜지스터와,

상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터가 베이스에 접속되고, 제 1 전원단자가 콜렉터에 직접 접속되어 신호를 스위칭하는 제 3 트랜지스터와,

상기 제 1 전원단자가 제 3 저항을 통해서 콜렉터에 접속되고, 정 전압원에 베이스가 접속되어 상기 제 1 트랜지스터의 베이스 전압을 스위칭하는 제 4 트랜지스터와,

상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터의 에미터에 한쪽 단자가 접속되고, 제 2 전원단자에 다른 단자가 접속된 제 1 정전류원과,

상기 제 4 트랜지스터의 콜렉터가 베이스에 접속되고, 상기 제 1 전원단자가 콜렉터에 접속되며, 합산회로의 입력단자가 에미터에 접속되고, 제 4 저항을 통하여 상기 제 2 전원단자가 에미터에 접속되어 구동능력을 증가 시키는 제 5 트랜지스터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 바이폴라 뉴럴 타입 셀 회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.