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강유전체를 전자 방출원으로 사용하고, 그 강유전체와 진공을 유지하지 않은 상태에서 상기 강유전체 상부에 전계 발광체(EL:electroluminesence)를 형성한 후, 강유전체에서 방출된 전자를 전계발광체(EL:electroluminesence)에 주입시켜 발광시킴으로써, 낮은 동작 전압에서도 안정된 큰 전류를 얻을 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 강유전체 전자방출원을 가진 전계 발광소자 구조
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제 1 항에 있어서, 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판위에 형성되며, 실리콘과의 접합성이 좋고 고온까지도 그 절연 특성이 유지되는 제 1 절연층과, 상기 제 1 절연층 상부에 금속성 막으로 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극위에 형성되며, 상기 제 1 전극에 일정 주기를 가지는 양전압과 음전압의 펄스 전압을 인가할 경우, 전자 발생원으로 동작하는 강유전체층과, 상기 강유전체층 상부에 일정 간격을 두고 형성된 제 2 전극과, 상기 제 2 전극 사이에 상기 강유전체층의 상부와 진공없이 접하여 형성되며, 상기 강유전체층에서 전자가 발생될 때, 그 전자가 상기 강유전체층과의 접면을 통해 주입되며, 그 전자에 의해 여기되어 발광하는 전계 발광체층과, 상기 제 2 전극 및 전계 발광체층 상부에 형성된 제 2 절연층과, 상기 제 2 절연층 상부에 증착되며, 외부에서 인가된 양전압에 의해 상기 전계 발광체층에 주입된 전자를 가속화하여, 상기 전계 발광체층을 발광시키도록 하는 투명 전극과, 상기 투명 전극 상부에 형성된 보호막으로 구성된 것을 특징으로 하는 강유전체 전자방출원을 가진 전계 발광소자 구조
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제 2 항에 있어서, 상기 발광체층은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)법에 의해 형성되며, ZnS:Mn(적색), ZnS:Tb(녹색), CaS:Pb(청색)을 가진 것을 특징으로 하는 강유전체 전자방출원을 가진 전계 발광소자 구조
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