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고속저잡음링발진기용지연셀

  • 기술번호 : KST2015076508
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 저잡음 링발진기용 지연셀에 관한 것으로서, 바이어스 회로에 의해 정해진 NMOS와 PMOS 트랜지스터에 흐르는 전류의 값을 제어전압 PBIAS와 NBIAS를 이용해 각각 조정하여 링발진기에 흐르는 발진 주파수의 조정에 따른 차동 입력 트랜지스터 짝의 차동 입력을 증폭하는 차동증폭기; 및 소정 개수의 다이오드 트랜지스터가 출력을 전원 사이 값에서 스윙하도록 출력 스윙을 제한하면서 어느 한쪽의 전원 라인과도 직접 연결되지 않도록 하여 고주파에서 다른 회로들과의 인터페이스가 쉬워지도록 하는 상기 차동 증폭기에 부가한 전압 클램핑 수단으로 구성합으로써 본 발명의 지연셀은 클럭 복원회로나 마이크로프로세서의 클럭 동기화 분야 등과 같은 응용분야에 매우 적합하다.
Int. CL H03K 3/03 (2006.01)
CPC H03K 3/0322(2013.01) H03K 3/0322(2013.01) H03K 3/0322(2013.01) H03K 3/0322(2013.01)
출원번호/일자 1019970050031 (1997.09.30)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0274154-0000 (2000.09.07)
공개번호/일자 10-1999-0027563 (1999.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정동열 대한민국 경기도 의왕시
2 송원철 대한민국 대전광역시 유성구
3 조규형 대한민국 대전광역시 유성구
4 채상훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1997-0158736-75
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1997-0158735-29
3 특허출원서
Patent Application		 1997.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1997-0158734-84
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1997-0158737-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0300086-65
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-5405036-69
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-5437956-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 의견서
Written Opinion		 2000.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5029439-73
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5029441-65
12 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0134270-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

바이어스 회로에 의해 NMPS와 PMOS 트랜지스터에 흐르는 전류는 전류의 값을 제어전압 PBIAS와 NBIAS를 이용해 각각 조정하여 링발진기에 흐르는 빌진 주파수의 조정에 따른 차동 입력 트랜지스터 짝의 차동 입력을 증폭하는 차동증폭기; 및

고정 개수의 다이오드 트랜지스터가 출력을 전원사이 값에서 스윙하도록 출력스윙을 제한하면서 어느 한쪽의 전원 라인과도 직접 연결되지 않도록 하여 고파수에서 다른 회로들과의 인터페이스가 쉬워지도록 하는 상기 차동 증폭기에 부가한 전압 클램핑 수단을 포함하여 구성된것을 특징으로 하는 고속 저잡음링발진기용 지연셀

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 전압 클램핑 수단은

소정 개수로 구성된 각 트랜지스터의 게이트와 드레인을 연결하려 다이오드와 같이 사용허는 것을 특징으로 하는 고속 저잡음 링발진기용 지연셀

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.