| 요약 |
본 발명은 광 콘트라스트 증가물질을 이용한 실리콘 팁을 갖는 전계방출 소자의 게이트 전극의 형상을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 유리기판상에 폴리실리콘 혹은 비정질 실리콘을 증착하고, 실리콘 팁을 형성시킨 후 게이트 절연막(2)을 플라즈마 화학증착방법(PECVD)이나 저압 화학증착방법(LPCVD)으로 소정 두께로 저온에서 증착시키고, 그 결과물 위에 블랭크 노광에너지에 의해 조절되는 게이트 개구 형상을 형성시키기 위해 게이트 전극 금속층을 증착시키고, 이 위에 알루미늄(Al)을 사용한 게이트 전극 마스킹용 박막을 증착시킨 후 상기 게이트 전극 마스킹용 박막 위에 포토레지스트와 상기 포토레지스터 위에 도포되는 두께 차이에 따라 블랭크 노광 빛을 선별적으로 투과하여 게이트 개구 형상을 포토레지스트 상에 자동정렬하는 광 콘트라스트 증가물질을 순차로 도포시킨 후 마스크 패턴이 없는 블랭크 노광 및 현상공정을 수행하여 게이트 개구형상을 포토레지스트상에 자기 정렬형태로 형성시키며, 상기 포토레지스트를 마스킹층으로 하여 상기 게이트 전극 마스킹용 박막을 식각한 후, 이 박막을 마스킹층으로 하여 게이트 전극 금속층을 식각하여 상기 게이트 절연막을 노출시키고, 잔류한 포토레지스트를 플라즈마를 이용하여 제거한 후, 게이트 절연 산화막의 일부를 식각용액(BOE 6:1)을 이용하여 습식식각하여 팁을 노출시킨 후, 게이트 전극을 패터닝(patterning)하고 식각함으로써, 화학 기계적 연마나 에치백 시 나타나는 게이트 배선의 단선을 해결할 수 있고, 게이트 형상크기의 불균일성을 개선할 수 있으므로 제조공정의 수율향상을 도모할 수 있으며, 반도체 공정 장비의 이용 및 집적회로 제조공정과 양립성 있게 제작할 수 있는 효과를 갖는다.
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