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자계효과 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자

  • 기술번호 : KST2015076570
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 쌍극자 트랜지스터 전자 소자에 대한 것으로, 에미터층 박막에서 주입되어 베이스층 박막을 통하여 컬렉터층 박막으로 이동하는 전자에 적절한 방향의 자계에 의한 힘을 가하여 줌으로써 소자의 고속 동작 특성을 개선하기 위한 자계효과 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자에 관한 것이다.종래의 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자에 있어서, 소자의 동작속도는 베이스층 박막 및 베이스-컬렉터 공간 전하층과 컬렉터층 박막을 이동하는 전자의 이동속도에 의하여 주로 결정되어 왔다. 특히 베이스-컬렉터 공간 전하층과 컬렉터층 박막의 이동속도는 전계에 의하여 결정되는 물질 정수인 전자 포화속도에 의하여 결정되어 소자의 동작속도를 제한되는 문제가 있어 왔다.따라서, 본 발명은 베이스-컬렉터 공간 전하층과 컬렉터층 박막을 통과하는 전자에 전계뿐만 아니라 자계를 동시에 인가할 수 있는 소자 구조를 제안하여 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자의 동작속도 성능을 향상시킬 수 있도록 한다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/7371(2013.01)
출원번호/일자 1019970064804 (1997.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0268172-0000 (2000.07.11)
공개번호/일자 10-1999-0043762 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 대전광역시 중구
2 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
3 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
4 김일호 대한민국 대전광역시 유성구
5 염병렬 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0203598-16
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0203599-51
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0203600-10
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0154811-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체 기판상에 성장되며, 외부단자로 전자를 이동시키는 자계 생성 전류 집전통로를 갖도록 형성된 자계 생성층과,

상기 자계 생성층 상부의 선택된 부분에 차단 버퍼층을 사이에 두고 형성된 부 컬렉터층과,

상기 부 컬렉터층 및 상기 자계 생성층이 연결되도록 하며, 상기 자계 생성층과 전기적으로 연결되도록 형성된 저항성 컬렉터 금속 전극과,

상기 부 컬렉터층 상부의 선택된 부분에 형성된 컬렉터층과,

상기 컬렉터층 상부의 선택된 부분에 형성된 베이스층과,

상기 베이스층과 전기적으로 연결되며, 상기 베이스층 상부의 선택된 부분에 형성된 저항성 베이스 금속 전극과,

상기 베이스층 상부의 선택된 부분에 형성된 에미터층과,

상기 에미터층 상부의 선택된 부분에 형성된 에미터 캡층과,

상기 에미터 캡층과 전기적으로 연결되며, 상기 에미터 캡층 상부의 선택된 부분에 형성된 저항성 에미터 금속 전극과,

상기 각 금속 전극들을 외부에 연결시키도록 형성된 전극 배선을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 자계효과 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 자계 생성층은 별도의 외부 제어 전극에 연결할 수 있는 것을 특징으로 하는 자계효과 이종접합 쌍극자 트랜지스터 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.