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화합물반도체 기판 상에 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 화합물반도체 부컬렉터층 및 도핑시키지 않은 화합물반도체 에피층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 감광막을 마스크로 이용하여 도핑시키지 않은 화합물반도체 에피층 식각을 통해 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 컬렉터 영역을 형성하는 단계와, 상기 웨이퍼 전면에 절연막을 증착하고 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 컬렉터 영역 및 진성 컬렉터 영역 상의 절연막을 식각하는 단계와, 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 컬렉터층을 성장시키는 단계와, 감광막을 마스크로 이용하여 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 컬렉터 영역 상에 성장된 컬렉터 에피층이 진성 컬렉터 영역 상에 성장된 컬렉터 에피층과 높이가 같게되도록 식각 하는 단계와, 상기 전체 구조상에 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 화합물반도체 베이스층, 화합물반도체 에미터층, 화합물반도체 에미터캡층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 잔류된 절연막을 식각하고, 감광막을 마스크로 이용하여 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터 캡층 및 에미터층의 선택된 부분을 식각하는 단계와, 상기 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 부컬렉터층, 베이스층 및 에미터 캡층 상의 선택된 부분에 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터 전극, 베이스 전극 및 컬렉터 전극을 리프트 오프에 의해 각각 형성 시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 에미터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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