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화합물반도체 기판에 실리콘 이온 주입 및 열처리로 주입시킨 실리콘 이온을 활성화 시키는 단계와, 도핑시키지 않은 화합물반도체 에피층을 성장시킨 후, 감광막을 마스크로 이용한 식각으로 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 베이스 영역을 형성하는 단계와, 상기 웨이퍼 전면에 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 화합물반도체 에미터 에피층을 성장 시키는 단계와, 상기 웨이퍼 전면에 감광막을 마스크로 이용한 식각을 통해 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 베이스 영역 상에 성장시킨 상기 에미터 에피층이 두 외인성 베이스 영역 이외에 성장시킨 에미터 에피층과 높이가 같게 되도록하는 단계와, 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 화합물반도체 베이스 에피층을 성장 시키는 단계와, 감광막을 마스크로 이용한 식각을 통해 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 베이스 영역을 연결하는 베이스 에피층 이외의 영역을 제거하는 단계와, 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 화합물반도체 컬렉터 에피층 및 화합물반도체 부컬렉터 에피층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 웨이퍼 전면에 절연막을 증착하고, 감광막을 마스크로 이용한 식각을 통한 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 베이스 영역 상의 절연막 제거 후, 베릴륨 이온 주입 및 열처리하는 단계와, 감광막을 마스크로 이용하여 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 베이스 영역 외부의 선택된 부분에 붕소 이온을 주입하여 컬렉터 상층 구조 쌍극자 트랜지스터의 두 외인성 베이스 영역과 컬렉터 영역을 전기적으로 분리시키는 단계와, 상기 전체 구조 상의 선택된 부분에 에미터 전극, 베이스 전극, 컬렉터 전극을 리프트 오프에 의해 각각 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 평탄화된 컬렉터 상층 구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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