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트렌치 구조 드레인을 갖는 고압소자

  • 기술번호 : KST2015076582
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소오스(source)-게이트(gate)-표류영역(drift region)-드레인(drain)이 수평으로 배치된, 소위 LDMOS(lateral double diffused MOS) 구조를 갖는 100V급 이상의 전계효과(field effect) 고압소자(high voltage device)의 구조에 관한것으로, 고압 소자에 고압 인가시 표류영역과 접하는 드레인 가장자리에서 발생하는 항복전압을 높이기 위하여, 드레인이 기판의 수직방향으로 확장되어 형성되도록, 표류영역의 드레인 형성영역에 트렌치를 형성하고, 이 트렌치의 내부벽면을 따라 소정의 깊이를 갖는 드레인을 형성하였다. 본 발명은 고전압 인가시 소오스에서 드레인을 향하여 기판의 표면을 따라 진행 하는 전자의 충격 이온화를 드레인의 가장자리에서 수직으로 분산시킴으로서 항복전압을 높일 수 있어 고압소자의 동작전압을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/08 (2006.01)
CPC H01L 29/66681(2013.01) H01L 29/66681(2013.01) H01L 29/66681(2013.01)
출원번호/일자 1019970058838 (1997.11.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249786-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0038946 (1999.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.07)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
2 남기수 대한민국 대전광역시 유성구
3 강진영 대한민국 대전광역시 유성구
4 박문양 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0185725-06
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0185727-97
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0185726-41
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1997-0185728-32
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0381160-78
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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반도체 기판상에 서로 접하는 웰 영역과 표류영역을 가지며, 상기 웰영역에 소오스가 형성되어 있고, 표류영역에 드레인이 형성되어 있으며, 상기 웰 영역과 표류영역의 상측영역에 걸쳐 산화막을 개재한 소정의 폭을 가지는 게이트가 형성되어 있는 LDMOS형 고압 소자에 있어서,

상기 드레인은 소정의 깊이와 폭으로 식각하여 형성된 표류영역의 표면으로부터 소정의 깊이로 형성된 트렌치 구조를 가지며,

상기 드레인의 표면에 접하여 트렌치내를 매립하는 드레인 연결 배선 금속단자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고압소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 드레인 연결 배선 금속단자는 백금실리사이드(PtSi), TiW, Al, 및 TiW이 차례로 적층된 구성을 가지는 것을 특징으로 하는 고압 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.