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핫-일렉트론 포토트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015076599
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 핫-일렉트론 포토트랜지스터에 관한 것으로, 에미터의 전자 투사 전위 장벽층(electron injecting barrier)으로 다양한 크기의 양자점 또는 양자선 어레이 조합 및 넓은 스페이서층들과 블록킹 장벽층을 적용하여 넓은 영역의 적외선 탐지 기능을 부과하고, 탐지 적외선 파장의 해상도(resolution)도 증가시키며, 베이스층에 공진 터널링 양자 우물 구조를 도입하여 특정 적외선 주파수 선택, 증폭 및 처리 기능을 포함하고, 암류(dark current)의 감소를 유도하므로써 초고속 튜너블 적외선 신호 탐지기 및 증폭기, 초고속 스위칭 및 논리 장치, 새로운 기능의 고속 적외선 논리 장치, 논리 소자의 갯수를 줄일 수 있는 새로운 고속 적외선 논리 기능 소자 등에 응용할 수 있다.
Int. CL H01L 29/68 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1019970072760 (1997.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0276697-0000 (2000.10.02)
공개번호/일자 10-1999-0053169 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226761-35
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226759-43
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226760-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0058526-24
5 의견서
Written Opinion		 2000.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-5148133-10
6 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0212968-60
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상부에 순차적으로 형성된 도전형 콜렉터층 및 콜렉터 장벽층과,

상기 콜렉터 장벽층 상부에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 베이스층, 공진 터널링 양자 우물 구조 및 제 2 도전형 베이스층과,

상기 제 2 도전형 베이스층 상부에 제 1 비도전형 스페이서층, 블록킹 장벽층, 양자점 어레이 조합 구조 및 제 2 비도전형 스페이서층이 순차적으로 적층되어 형성된 에미터 전자 투사 전위 장벽층과,

상기 에미터 전자 투사 전위 장벽층 상부에 형성된 도전형 에미터층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 공진 터널링 양자 우물 구조는 양자 장벽층, 양자 우물층 및 양자 장벽층이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 양자점 어레이 조합 구조는 절연층 사이에 여러 가지 크기의 양자점, 양자 장벽 및 상기 양자점이 조합되어 형성된 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 공진 터널링 양자 우물 구조 대신에 2개 이상의 양자 우물 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 공진 터널링 양자 우물 구조 대신에 양자점 또는 양자선 어레이 조합 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

6 6

기판 상부에 순차적으로 형성된 도전형 콜렉터층 및 콜렉터 장벽층과,

상기 콜렉터 장벽층 상부에 순차적으로 형성된 제 1 도전형 베이스층, 공진 터널링 양자 우물 구조 및 제 2 도전형 베이스층과,

상기 제 2 도전형 베이스층 상부에 제 1 비도전형 스페이서층, 블록킹 장벽층, 양자선 어레이 조합 구조 및 제 2 비도전형 스페이서층이 순차적으로 적층되어 형성된 에미터 전자 투사 전위 장벽층과,

상기 에미터 전자 투사 전위 장벽층 상부에 형성된 도전형 에미터층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 공진 터널링 양자 우물 구조는 양자 장벽층, 양자 우물층 및 양자 장벽층이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

8 8

제 6 항에 있어서, 상기 양자선 어레이 조합 구조는 절연층 사이에 여러 가지 선폭의 양자선, 양자 장벽 및 상기 양자선이 조합되어 형성된 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

9 9

제 6 항에 있어서, 상기 공진 터널링 양자 우물 구조 대신에 2개 이상의 양자 우물 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

10 10

제 6 항에 있어서, 상기 공진 터널링 양자 우물 구조 대신에 양자점 또는 양자선 어레이 조합 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 핫-일렉트론 포토트랜지스터

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1 US05977557 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US5977557 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.