요약 | 본 발명은 공진 터널링 핫-일렉트론 트랜지스터(RHET)에 관한 것으로, 에미터 전자 투사 장벽층으로 비도전형 양자 우물 구조와 양자 우물 구조의 전후에 비도전형 스페이서층을 형성하고, 베이스층 구조로 비도전형 양자 우물 구조와 양자우물 구조의 전후에 도전층들의 조합 적용으로 구성되어, 외부 전압에 의한 스타크 쉬프트(Stark shift)에 의해 각 양자 우물의 양자 속박 준위들의 정렬로 공진 터널링 효과를 증대시켜 피크 전류의 증가, 낮은 밸리 전류 및 낮은 피크 전류 전압의 구현에 의한 높은 PVR, 저전력 소모를 성취할 수 있으며, 이로 인해 전자의 고속 동작이 가능한 개선된 스위칭 장치 및 논리 장치로 응용할 수 있다. |
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Int. CL | H01L 29/15 (2006.01) |
CPC | H01L 29/15(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019970072767 (1997.12.23) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0268170-0000 (2000.07.11) |
공개번호/일자 | 10-1999-0053176 (1999.07.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20001016) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1997.12.23) |
심사청구항수 | 3 |