제작된 소자 및 집적회로 기판(1)에 표면 보호막인 감광막을 2 미크론 정도 입히는 공정과,

그 기판(1)에 지지대로 사용하기 위한 투명 지지대(3)를 열-판(Hot-Plate)에서 고온으로 가열하여 균일하게 접촉이 되도록 진공에서 붙이는 공정과,

상기 투명 지지대(3)가 부착된 시료를 열-판(Hot Plate)을 사용하여 저온으로 가열하여 유리기판(5)에 진공에서 붙이는 공정과,

상기 기판(1)의 감광막이 형성된 뒷면부를 래핑하여 폴리싱하는 공정과,

시료를 열-판을 사용하여 약 80℃ 정도로 가열 한 후 상기 유리기판(5)를 떼어내는 공정과,

상기 기판(1)의 뒤면에 비아-홀용 마스크를 형성 하는 공정과,

뒷면 비아-홀을 건식 식각 방법으로 식각하는 공정과,

마스크 층을 제거하고 베이스 금속을 증착하는 공정과,

전기도금 방법으로 금을 전기도금 하는 공정과,

열판을 사용하여 약 160℃ 정도로 가열하여 투명지지대(3)를 기판(1)으로부터 탈착하는 공정과,

기판을 세정하는 공정을 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 사파이어 투명 지지대를 사용한 뒷면 비아-홀 제작방법

제 1 항에 있어서, 상기 투명 지지대는

투명 사파이어 기판을 투명지지대로서 사용하여 리소그라피 및 식각 공정시 정렬의 용이성과 식각장치에의 웨이퍼 로딩 및 열방출을 용이하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 사파이어 투명 지지대를 사용한 뒷면 비아-홀 제작방법

제 1 항에 있어서, 상기 기판(1)과 투명지지대(3)는 고온 왁스(2)를 사용하여 붙이고, 상기 유리 기판(5)과 상기 투명 지지대(3)는 저온 왁스(4)를 사용하여 붙이는 것을 특징으로 하는 사파이어 투명 지지대를 사용한 뒷면 비아-홀 제작방법

제 1 항에 있어서, 상기 기판(1)의 뒷면부는 50미크론 에서 100미크론까지 연마를 한 후 저온에서 유리 기판을 떼어내는 것을 특징으로 하는 사파이어 투명 지지대를 사용한 뒷면 비아-홀 제작방법