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리소그라피와 전기도금 방법에 의한 변형 게이트의 제작 방법
- 기술번호 : KST2015076647
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 리소그라피와 전기도금 방법에 의한 변형 게이트의 제작 방법에 관한 것으로, 특히, 좁은 간격이고 수직방향의 길이가 긴 미세 선폭의 변형 게이트 전극을 제어성 좋게 제조할 수 있게 하는 소자의 게이트 전극을 제조하는 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 기판 위에 활성층과 오믹 금속층을 형성하고, 그 위에 게이트 다리부분의 금속을 형성하기 위한 1차 레지스트 도포하고 이를 패터닝 하는 단계와, 그 1차 레지스터에 의해 패터닝된 전면에 전기도금 용 베이스 금속층을 증착 하는 단계와, 그 위에 2차 레지스터막을 도포하고 게이트 저항을 조절하기 위해 머리부 패턴을 광 노광 방법을 사용하여 형성하는 단계와, 게이트 금속을 전기 금 도금 방법을 사용하여 증착하는 단계를 수행하여 게이트 전극을 제작하도록 한다. 이에따라 본 발명은 전자빔과 광 노광 리소그라피를 전기도금 방법과 결합하여 변형 게이트 금속을 형성하는 방법으로 게이트 다리의 길이와 폭 및 머리부의 크기를 임의로 조절할 수 있게 하여 게이트 저항을 줄이고 동시에 기생성분을 줄일 수 있게 하여 소자의 특성을 향상 시킬 수 있도록 한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/288 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/28123(2013.01) H01L 21/28123(2013.01) H01L 21/28123(2013.01) H01L 21/28123(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1019970070308 (1997.12.19) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0261268-0000 (2000.04.17) |
| 공개번호/일자 | 10-1999-0051069 (1999.07.05) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20000801) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1997.12.19) |
| 심사청구항수 | 4 |