집적형 초고주파 공진회로를 설계하는 방법에 있어서,

집적형 인덕터와 집적형 커패시터를 이용하여 초고주파 공진회로를 구성하는 제 1 단계와;

N층 금속선과 N-1층 금속선 및 금속층간 절연막으로 집적형 인덕터를 구성하는 제 2 단계와;

인덕터의 입력단을 N층 금속선으로 구성하고 인덕터의 종단을 콘택홀을 통해 N-1금속층과 연결한뒤 N-1층 금속선으로 출력단을 구성하는 제 3 단계와;

불순물이 도핑된 M층 다결정실리콘과 M-1층 다결정실리콘 및 다결정실리콘층간의 절연막으로 구성된 커패시터를 구성하는 제 4 단계와;

상기의 커패시터를 인덕터의 내경에 배치하는 제 5 단계와;

N-1층 금속선을 이용하여 M층 및 M-1층 다결정실리콘을 각각 연결하여 커패시터를 구성하는 제 6 단계와;

커패시터의 연결 금속선인 N-1층 금속선을 인덕터 내경에서 인덕터 바깥쪽인 입력단까지 연결하고 인덕터 입력단의 N층 금속막과 콘택홀을 통해 연결하는 제 7 단계와; 및

인덕터 내경에 배치되어 있는 인덕터 종단의 N층 금속막과 커패시터의 연결 금속선인 N-1층 금속선을 콘택홀을 통해 연결하고 N-1층 금속막을 인덕터 바깥쪽인 출력단으로 연결, 배치하는 제 8 단계를 포함하고,

상기의 인덕터와 커패시터를 연결하는 단계에서 입력단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M-1층이고 인덕터의 종단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M층이 되게 구성함으로써 커패시터 배치를 위한 별도의 칩 면적을 없애주어 칩면적을 줄일뿐 아니라 별도배치에 따른 기생성분을 감소시키는 것을 특징으로 하는 초고주파 공진회로 설계방법

제 1 항에 있어서,

상기 인덕터와 커패시터를 연결하는 단계에서 입력단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M층이고 인덕터의 종단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M-1층이 되게 구성하는 것을 특징으로 하는 초고주파 공진회로 설계방법

제 1 항에 있어서,

상기 인덕터를 구성하는 단계에서 금속선 층간 절연막을 2층, 3층 혹은 그 이상의 층으로 구성함으로써 N층 금속선 및 N-2, N-3 혹은 그 이하의 금속선으로 제조된 집적형 인덕터 내경에 커패시터를 배치하는 것을 특징으로 하는 초고주파 공진회로 설계방법

제 1 항에 있어서,

상기 집적형 공진회로를 제조하는 기판을 실리콘, 화합물반도체, 유리 혹은 기타의 집적공정이 가능한 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 초고주파 공진회로 설계방법

인덕터와 커패시터가 연결된 집적형 초고주파 공진회로에 있어서,

상기 인덕터 내경에 커패시터가 배치된 것을 특징으로 하는 초고주파 공진 공진회로 구조

제 5 항에 있어서,

입력단인 N층 금속선(20)과, 상기 N층 금속선(20)의 입력단의 콘택홀(21)과 상기 N층 금속선(20)의 종단의 콘택홀(25)을 통해 각각 연결되는 N-1층 금속선(22, 26) 과, 그리고 상기 N층 금속선(20) 하부와 상기 N-1층 금속선(22) 상부 사이에 형성되는 금속층간 절연막(35)으로 구성된 인덕터와;

상기 N-1층 금속선(26)과 상기 종단의 콘택홀(25)을 다른 콘택홀(27a, 27b, 40)을 통해 연결되는 M층 다결정실리콘(28)과, 상기 N-1층 금속선(22)과 콘택홀(23a, 23b, 39)을 통해 연결되는 불순물이 도핑된 M-1층 다결정실리콘(24)과, 상기 다결정실리콘층간의 절연막(38)으로 구성되되, 상기 인덕터 내경에 배치되는 커패시터로 구성되며, 상기한 인덕터와 커패시터가 기판(31) 위에 절연막(32)으로 박막위에 구성된 것을 특징으로 하는 초고주파 공진회로 구조