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지지대가있는미세한티-형게이트제작방법

  • 기술번호 : KST2015076672
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지지대가 있는 미세한 티-형 게이트 제작방법에 관한 것으로서, 채널층이 형성된 기판에 1차 금속막과 오믹층을 증착하여 패터닝하고, 게이트 다리를 형성하는 PMMA 레지스트와 게이트 머리를 형성하기 위한 MMA-MMA 레지스트를 도포하고, 상기 MMA-MMA 레지스트와 PMMA 레지스트를 각각 식각하여 T-형 게이트의 머리 모양 및 T-형 게이트의 다리 모양을 형성하여 T-형 게이트 패턴을 형성한 후 노출된 기판의 일부를 1차 리세스하며, 상기 레지스트막의 측벽과 평탄면 위에 플라즈마 화학증착 방법을 이용하여 절연막을 같은 두께로 증착한 후 상기 게이트 다리와 머리부위의 접촉 부분을 지지하는 지지부분 형성을 위해 건식 식각을 이용하여 측벽의 패턴은 식각되지 않고, 측벽의 상단 부분은 경사지게 하며, 수평면은 제거되도록 상기 절연막을 식각하고, 노출된 부분의 기판을 2차 리세스 하며, 상기 식각한 절연막 위에 게이트 금속을 증착한 후 상기 레지스트막을 아세톤 또는 용매에 담가 제거하여 T-형상을 가진 게이트 금속을 형성함으로써, 미세한 게이트 선폭을 갖는 T-형 금속 패턴을 형성할 수 있고, 메탈의 들뜸 현상을 배제할 수 있으며, 게이트 다리와 머리 부위의 만나는 부위를 둥글게 함에 따라 게이트 선폭 대 높이의 비를 개선시켜 미세한 게이트 금속증착이 가능하고, 절연막의 두께에 의해 T-형 게이트의 선폭을 조절할 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
출원번호/일자 1019970071617 (1997.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0274153-0000 (2000.09.07)
공개번호/일자 10-1999-0052168 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병선 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
3 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223592-01
2 특허출원서
Patent Application
1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223591-55
3 출원심사청구서
Request for Examination
1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223593-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0375411-47
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.02.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5041413-79
6 의견서
Written Opinion
2000.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2000-5041408-40
7 등록사정서
Decision to grant
2000.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0136528-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

채널층이 형성된 기판(1)에 1차 금속막(3)과 오믹층(2)을 증착하여 패터닝하고, 게이트 다리를 형성하는 PMMA 레지스트(4)와 게이트 머리를 형성하기 위한 MMA-MMA 레지스트(5)를 도포하는 제 1 단계; 상기 MMA-MMA 레지스트(5)와 PMMA 레지스트(4)를 각각 식각하여 T-형 게이트의 머리 모양 및 T-형 게이트의 다리 모양을 형성하여 T-형 게이트 패턴을 형성한 후 노출된 기판의 일부를 1차 리세스하는 제 2 단계; 상기 레지스트(4, 5)막의 측벽과 평탄면 위에 플라즈마 화학증착 방법을 이용하여 절연막(6)을 같은 두께로 증착하는 제 3 단계; 상기 게이트 다리와 머리부위의 접촉 부분을 지지하는 지지부분 형성을 위해 건식식각을 이용하여 측벽의 패턴은 식각되지 않고, 측벽의 상단 부분은 경사지게 하며, 수평면은 제거되도록 상기 절연막(6)을 식각하고, 노출된 부분의 기판을 2차 리세스 하는 제 4 단계; 및 상기 식각한 절연막 위에 게이트 금속을 증착한 후 상기 레지스트(4, 5)막을 아세톤 또는 용매에 담가 제거하여 T-형상을 가진 게이트 금속(7)을 형성하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지대가 있는 미세한 티-형 게이트 제작방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 4 과정은 절연막 증착 후 건식식각을 이용하여 게이트 다리와 머리부분이 연결되는 부분을 둥글게 지지하기 위한 부분이 형성되도록 측벽의 상단부분이 둥글게 식각되도록 하는 것을 특징으로 하는 지지대가 있는 미세한 티-형 게이트 제작방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 5 과정은 저온의 PECVD 절연막을 증착한 후 그 증착 두께를 조절하여 게이트와 선촉폭을 미세 조절하는 것을 특징으로 하는 지지대가 있는 미세한 티-형 게이트 제작방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 C2F6(80)+CHF3(20) 혼합가스를 이용하여 건식식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 지지대가 있는 미세한 티-형 게이트 제작방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 레지스트(4)(5)의 측벽과 평탄면 위에 같은 두께의 절연막(6)이 증착되도록 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막 등의 절연막(6)을 플라즈마 화학 방법을 통하여 절연막(6)의 레지스트 패턴이 변형되지 않도록 100∼120℃의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 지지대가 있는 미세한 티-형 게이트 제작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.