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반도체 소자의 다층 금속 배선 제조방법

  • 기술번호 : KST2015076677
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정시 미세패턴이 가능한 다층 금속배선의 제조방법을 제공한다.본 발명의 다층 금속배선 방법은 반도체 소자가 형성되어 있는 기판상에 1차 금속 배선층과 상층 금속과의 접속을 위한 필라를 형성하기 위해 필라 형성용 금속막을 차례로 적층하고, 필라 형성용 금속막상에 감광막 패턴을 형성하여 산화막을 패터닝하여 산화막 패턴을 필라 형성용 마스크 패턴으로 이용 하며, 산화막으로 식각 마스크 패턴을 형성한 후, 1차 금속 배선층의 패턴 형상을 가지는 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 필라 형성용 금속막을 식각하여 1차 금속 배선의 패터닝 형상을 필라 형성용 금속막에 형성한 후, 감광막 패턴을 제거하고 산화막으로된 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 필라 형성용 금속막과 1차 금속 배선층을 동시에 패터닝하여 필라와 1차 금속배선을 형성하는 공정에 이루어진다.본 발명은 필라를 형성하기 위한 마스크로서 산화막을 이용하므로서 단차의 발생을 없앨 수 있어, 1층이상의 상층 금속층을 미세하게 패터닝할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01)
출원번호/일자 1019970071624 (1997.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249827-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0052175 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종문 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤용선 대한민국 대전광역시 유성구
3 진영모 대한민국 대전광역시 유성구
4 백규하 대한민국 대전광역시 유성구
5 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223612-26
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223613-72
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223614-17
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0372664-66
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 소자가 형성되어 있는 반도체 기판상에 상기 반도체 소자의 불순물 영역과 전기적으로 접속되는 1차 금속 배선층을 형성하는 공정과,

상기 1차 금속 배선상에 필라 형성용 금속막과 산화막을 차례로 형성하는 공정과,

상기 산화막을 패터닝하여 필라 형성용 금속을 패터닝하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 공정과,

상기 필라 형성용 금속막상에 마스크 패턴의 전면을 덮으며, 1차 금속배선층의 배선 형상을 정의하도록 필라 형성용 금속막의 소정영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 공정과,

상기 감광막 패턴을 통하여 노출된 필라 형성용 금속막을 식각하여 1차 금속 배선층을 노출시키는 개구를 형성하고 감광막 패턴을 제거하는 공정과,

상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 노출된 필라 형성용 금속막을 제거 하는 동시에 개구를 통해 노출된 1차 금속 배선층을 식각하여 필라를 형성하는 동시에 1차 금속 배선을 패터닝하는 공정과,

상기 1차 금속배선과 필라의 전면을 덮도록 금속 배선간 절연막을 형성하고, 그의 상부를 평탄하게 식각하여 필라의 상 표면을 노출시키는 공정과,

상기 금속 배선간 절연막의 상 표면에 2차 금속 배선층을 형성하는 공정을 포함하는 다층 금속배선의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 필라의 형상을 먼저 산화막에 형성하고 이를 마스킹층으로 사용하여 최종 금속막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 필라의 형상을 산화막에 형성시킨 상태에서 감광막으로 1단의 금속배선 형상을 형성시킨 후 이를 마스킹층으로 이용하여 금속식각을 식각 멈춤층까지 실시하여 필라 및 금속 배선 형성을 위한 중간단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 필라 형상을 갖는 산화막을 마스킹층으로 하여 금속식각을 수행하여 필라 형상과 금속배선 형상을 동시에 구현하는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선의 제조방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 필라 형상을 갖는 산화막이 금속식각시 마스킹 역할을 할때 식각되어 제거되도록 산화막의 증착 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선의 제조방법

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제 1 항에 있어서,

상기 1단의 금속배선 층 증착단계부터 2단의 금속배선 층까지의 공정을 반복 수행함으로써, 2층 이상의 다층 금속 배선을 구현시키는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.