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전계 방출 소자가 형성된 하부 기판의 선택된 영역에 배기용 구멍을 뚫은 후 그 하부면에 실리콘층을 증착하는 단계와, 투명전극 및 형광체가 형성된 상부 기판과 상기 하부 기판을 측벽으로 평행하게 지지하여 밀봉하는 단계와, 상기 배기용 구멍을 통하여 기판 내부에 진공을 형성한 후, 금속 마개를 상기 배기용 구멍에 위치시키는 단계와, 상기 금속 마개와 실리콘층의 반응으로 생성된 실리사이드가 상기 배기용 구멍을 완전히 밀봉할 수 있도록 열처리 공정을 진행한 후, 접착제로 봉합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 마개는 파라듐(Pd), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 및 플래티늄(Pt) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 마개는 구형, 디스크형 및 원추형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리 공정은 100 ℃ 내지 900 ℃ 온도 영역에서 실시되어 실리사이드층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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전계 방출 소자가 형성된 하부 기판의 선택된 영역에 배기용 구멍을 뚫은 후 그 하부면에 금속층을 증착하는 단계와, 투명전극 및 형광체가 형성된 상부 기판과 상기 하부 기판을 측벽으로 평행하게 지지하여 밀봉하는 단계와, 상기 배기용 구멍을 통하여 기판 내부에 진공을 형성한 후, 실리콘 마개를 상기 배기용 구멍에 위치시키는 단계와, 상기 실리콘 마개와 금속층의 반응으로 생성된 실리사이드가 상기 배기용 구멍을 완전히 밀봉할 수 있도록 열처리 공정을 진행한 후, 접착제로 봉합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 금속층은 파라듐(Pd), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 및 플래티늄(Pt) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 실리콘 마개는 구형, 디스크형 및 원추형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 열처리 공정은 100 ℃ 내지 900 ℃ 온도 영역에서 실시되어 실리사이드층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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외곽부에는 측벽이 형성되어 있으며 전계 방출 디스플레이를 형성하기 위한 여러 요소가 형성된 하부 기판 및 상부 기판을 고진공 챔버 내에서 각각의 측벽이 맞붙도록 하여 밀봉시키되, 상기 하부 기판에 형성된 측벽과 상기 상부 기판에 형성된 측벽의 접촉 부분에서 두 측벽의 반응으로 인해 형성된 반응물이 상기 두 측벽을 봉합하도록 하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 하부 기판에 형성된 측벽은 금속으로 이루어져 있고, 상기 상부 기판에 형성된 측벽은 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 금속은 파라듐(Pd), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 및 플래티늄(Pt) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 반응물은 열처리 공정으로 형성된 실리사이드인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법
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