맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전계 방출 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076701
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 삼극형 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로 특히, 트랜스퍼 몰드 방법으로 에미터 팁과 높이가 일치되도록 게이트 전극을 미리 형성하는 방법에 관한 것이다.종래의 트랜스퍼 몰드 방법에 의한 전계 방출 소자의 제조 방법에서는 게이트 전극을 미리 만들지 않거나, 만들더라도 게이트 전극과 에미터 팁끝의 높이를 일치시키지 못하는 문제점이 발생한다.본 발명에서는 게이트 전극을 미리 형성시키고 게이트 절연막을 제어하여 에미터 팁을 형성시키는 트랜스퍼 몰드 방법으로 전계 방출 소자를 제조하므로, 게이트 전극과 에미터 팁 끝의 높이를 일치시킬 수 있으며, 높이 대 폭의 비율이 높은 팁을 제조할 수 있어서 팁과 게이트를 근접 시키면서 게이트와 캐소드 간의 간격은 멀리 하여 게이트 캐소드 간의 누설 전류가 작은 구조를 형성 시킬 수 있다.
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1019970062890 (1997.11.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0287060-0000 (2001.01.19)
공개번호/일자 10-1999-0042167 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20011024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.25)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이진호 대한민국 대전광역시 유성구
2 송윤호 대한민국 대전광역시 서구
3 강승열 대한민국 서울특별시 은평구
4 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0198007-36
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0198006-91
3 특허출원서
Patent Application		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0198005-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0044390-39
5 의견서
Written Opinion		 2000.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5119909-64
6 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0344751-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상의 선택된 영역에 제 1 절연막 및 게이트 전극을 순차로 형성한 후, 전체 구조 상부에 게이트 절연막을 형성하되, 에미터 팁을 형성하기 위한 물질이 매립될 수 있도록 경사진 홈이 파인 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 홈의 최하단부가 상기 게이트 전극과 일치되도록 제 2 절연막 증착으로 높이를 제어하는 단계와, 상기 제 2 절연막 상부에 에미터 팁을 형성하고, 전체 구조를 뒤집어 상기 에미터 팁을 유리 기판 상에 접착하는 단계와, 상기 실리콘 기판 및 제 1 절연막을 순차로 제거한 후, 게이트 절연막 및 제 2 절연막의 일부분을 식각하여 상기 에미터 팁이 노출되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 BPSG 박막 혹은 PSG 박막을 고온에서 플로우(flow)시켜 형성하거나 부가적으로 홀 사이드 월 스페이서 절연막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 사일렌(SiH4) 가스, 디사일렌(Si2H6) 가스, 산화질소 (N2O) 가스 및 산소(O2) 가스 중 어느 하나를 이용한 플라즈마 화학기상증착 반응로에서 증착한 후, 아르곤(Ar) 가스를 이용하여 소정 두께를 식각하는 공정을 여러번 반복하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 사이드 월 스페이서를 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은 50 nm ~ 2,000 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 폴리실리콘 및 금속중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 에미터 팁을 유리 기판 상에 접착하는 공정은 에미터 팁 하부면에 완충막을 증착하고 수지와 같은 접착제를 사용하는 거나 정접합의 방법으로 접합시키는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 에미터 물질로 폴리 실리콘, 금속, 다이아몬드, 다이아몬드 상 탄소, 질화 화합물, 카바이드 화합물과 같은 저일함수 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

9 9

(100) 결정 방향을 가지는 실리콘 기판 상의 선택된 영역에 제 1 절연막, 게이트 전극 및 버퍼 절연막을 순차로 형성한 후, 버퍼 절연막을 마스크로 하여 실리콘 기판의 일부를 식각하되, 에미터 팁을 형성하기 위한 물질이 매립될 수 있도록 경사진 홈을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 상기 경사진 홈의 면을 따라 게이트 절연막 및 제 2 절연막을 순차로 증착하되, 홈의 최하단부가 상기 게이트 전극과 일치되도록 제 2 절연막의 높이를 제어하여 증착하는 단계와, 상기 제 2 절연막 상부에 에미터 팁을 형성하고, 전체 구조를 뒤집어 상기 에미터 팁을 유리 기판 상에 접착하는 단계와, 상기 실리콘 기판 및 제 1 절연막을 순차로 제거한 후, 게이트 절연막 및 제 2 절연막의 일부분을 식각하여 상기 에미터 팁이 노출되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

10 10

제 9 항에 있어서, 상기 게이트 절연막 BPSG 박막 혹은 PSG 박막을 고온에서 플로우(flow)시켜 형성하거나 부가적으로 홀 사이드 월 스페이스 절연막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

11 11

제 9 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 사일렌(SiH4) 가스, 디사일렌(Si2H6) 가스, 산화질소 (N2O) 가스 및 산소(O2) 가스 중 어느 하나를 이용한 플라즈마 화학기상증착 반응로에서 증착한 후, 아르곤(Ar) 가스를 이용하여 소정 두께를 식각하는 공정을 여러번 반복하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

12 12

제 9 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 사이드 월 스페이서를 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

13 13

제 9 항에 있어서, 상기 제 1 절연막 및 버퍼 절연막은 50 nm ~ 2,000 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

14 14

제 9 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 폴리실리콘 및 금속중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

15 15

제 9 항에 있어서, 상기 에미터 팁을 유리 기판 상에 접착하는 공정은 에미터 팁 하부면에 금속 완충막을 증착하고 수지와 같은 접착제를 사용하거나 정전 접합의 방법으로 접착시키는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

16 16

제 9 항에 있어서, 상기 에미터 물질로 폴리 실리콘, 금속, 다이아몬드, 다이아몬드 상 탄소, 질화 화합물, 카바이드 화합물과 같은 저일함수 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.