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고압소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076733
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표류영역과 웰 영역의 접합이나 활성영역의 가장자리에서 일어나는 전압항복을 개선하기 위한 고압소자의 제조 방법으로서, 표류영역과 웰 영역의 표면 접합 주위를 "U" 자형으로 트렌치를 형성한 후 상기 트렌치 내부 및 상부에 게이트를 형성한다. 그 결과로 전압항복 현상이 "U" 자형으로 함몰된 트렌치 하부에서 발생된다. 이 전압항복 현상 발생영역은 종래의 구조와는 달리 불순물 농도가 낮은 지역으로서, 높은 불순물 농도 분포 지역인 반도체 표면이 아니고, 수평을 따라 인가되는 강한 전계도 수직 성분으로 분산됨으로서 "오프" 상태의 항복전압이 개선된다.고압소자의 "온"시, 드레인에 전압항복 현상이 일어나는 것은 전자가 이 협소한 반도체 표면 지역으로 전자의 흐름이 몰림에 따라 유발되는 전자의 충격 이온화에 의한 것으로서, 드레인 하부를 트렌치 구조로 깊숙히 파서 이 내부에서 도핑하고, 여기에 금속을 채워서 외부 드레인 단자를 형성해 주면 전자의 흐름이 수직으로 분산되어 드레인 항복전압을 개선할 수 있는 고압소자의 제조 방법을 제시한다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1019980026393 (1998.07.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0268175-0000 (2000.07.11)
공개번호/일자 10-2000-0007196 (2000.02.07) 문서열기
공고번호/일자 (20001016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강진영 대한민국 대전광역시 유성구
2 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
3 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.07.01 수리 (Accepted) 1-1-1998-0081617-02
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.01 수리 (Accepted) 1-1-1998-0081619-93
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.01 수리 (Accepted) 1-1-1998-0081618-47
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0157308-22
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055004-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판상에 에피층을 형성한 후, 상기 에피층의 선택된 부분에 표류영역 및 웰 영역을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 웰 영역 및 상기 표류영역의 접합주위에 제 1 트렌치를 형성하는 단계;

상기 트렌치내에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계;

상기 웰 영역에 제 2 트렌치를 형성하는 단계; 및

상기 표류영역 및 제 2 트렌치에 소오스 및 드레인을 각각 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고압소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 에피층은 6㎛ 내지 15㎛의 두께로 형성되며, n-형의 인 이온이 7x1014/cm3 내지 2x1015/cm3의 농도로 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고압소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 표류영역은 p-형이고, 2x1015/cm3 내지 2x1016/cm3의 농도 및 2㎛ 내지 4㎛의 접합깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 고압소자의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 웰 영역은 n형이고, 3x1016/cm3 내지 7x1016/cm3의 농도 및 4㎛ 내지 6㎛의 접합깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 고압소자의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 트렌치는 1㎛ 내지 2㎛의 깊이 및 1

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 트렌치는 1㎛ 내지 2㎛의 깊이 및 2㎛ 내지 4㎛의 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고압소자의 제조 방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 제 2 트렌치는 캐리어가 드레인으로 더욱 효과적으로 수집되게 하기 위해, 적어도 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 고압소자의 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 게이트는 n+형이고, 0

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 소오스는 p+형이고, 5x1019/cm3 내지 1x1020/cm3 농도의 붕소 이온이 도핑되어 형성되며, 접합깊이가 0

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 드레인은 p+형이고, 5x1019/cm3 내지 1x1020/cm3 농도의 붕소 이온이 도핑되어 형성되며, 접합깊이가 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.