이종접합 트랜지스터 제조 방법에 있어서,

반절연 화합물 반도체 기판에 부콜렉터, 콜렉터, 베이스, 에미터, 에미터캡 에피층을 순차적으로 성장시키는 단계와,

절연막을 웨이퍼 전면에 증착하고 감광막을 마스크로하여 에미터 측벽영역의 절연막을 식각하는 단계와,

상기 절연막을 마스크로하여 식각된 절연막 하부의 에미터캡층과 에미터층을 화학 식각하는 단계와,

상기 식각된 에미터캡층과 에미터층 영역에 도핑시키지 않은 화합물 반도체층을 재성장시키는 단계와,

상기 절연막을 전부 식각하고 감광막을 마스크로하여 상기 도핑시키지 않은 화합물 반도체층 외부의 에미터캡층과 에미터층을 식각하는 단계와,

리프트 오프(lift-off)법에 의해 에미터 전극과 베이스 전극을 동시에 형성시키는 단계와,

감광막을 마스크로하여 베이스층과 콜렉터층을 식각하는 단계, 및

리프트 오프(lift-off)법에 의해 콜렉터 전극을 형성함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

제1항에 있어서,

상기 부콜렉터층은 1x1018 cm-3 ~ 7x1018 cm-3의 도핑농도와 4000Å ~ 6000Å 두께로 형성함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

제1항에 있어서,

상기 콜렉터층은 1x1016 cm-3 ~ 5x1016 cm-3 도핑농도와 3000Å ~ 5000Å두께로 형성함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

제1항에 있어서,

상기 베이스층은 1x1019 cm-3 ~ 5x1019 cm-3 도핑농도와 500Å ~ 1000Å 두께로 형성함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

제1항에 있어서,

상기 에미터층은 1x1017 cm-3 ~ 5x1017 cm-3인 도핑농도와 1000Å ~ 2000Å인 두께의 밴드갭이 베이스층과 같은 화합물 반도체층 및 3x1017 cm-3 ~ 7x1017 cm-3인 도핑농도와 500Å ~ 1000Å 두께의 밴드갭이 베이층보다 큰 화합물반도체층부터 베이층과 같은 화합물반도체층까지 밴드갭을 선형적으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

제1항에 있어서,

상기 에미터캡층은 1x1018 cm-3 ~ 8x1018 cm-3인 도핑농도와 500Å ~ 1500Å인 두께의 밴드갭이 베이스층과 같은 화합물반도체층 및 1x1019 cm-3 ~ 5x1019 cm-3인 도핑농도와 400Å ~ 1000Å의 밴드갭이 베이스층과 같은 화합물반도체층부터 베이스층보다 적은 화합물반도체층까지 밴드갭을 선형적으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법

제1항에 있어서,

상기 화합물반도체 기판은 메이저 플랫(major flat)에 대하여 45˚경사지게 레이아웃하여 상기 에미터캡층과 상기 에미터층이 상기 화합물 반도체 기판에 대하여 수직으로 화학 식각되는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법