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반도체소자의금속배선형성방법

  • 기술번호 : KST2015076744
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 제 1 금속 장벽층, 금속층 및 제 2 금속 장벽층으로 이루어진 금속 배선을 형성한 후, 전체 구조 상부에 제 3 금속 장벽층을 형성하고 플라즈마 에치-백 공정을 실시하여 금속 배선 측면에 금속 스페이서를 형성하는 것으로 이루어지는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법이 제시된다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76841(2013.01) H01L 21/76841(2013.01)
출원번호/일자 1019980032220 (1998.08.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0296708-0000 (2001.05.14)
공개번호/일자 10-2000-0013387 (2000.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20010807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.08.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주철원 대한민국 대전광역시 유성구
2 이영민 대한민국 대전광역시 유성구
3 이상복 대한민국 대전광역시 유성구
4 박성수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.08.07 수리 (Accepted) 1-1-1998-0098608-88
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.08.07 수리 (Accepted) 1-1-1998-0098610-70
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.08.07 수리 (Accepted) 1-1-1998-0098609-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0117450-71
5 의견서
Written Opinion		 2000.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2000-5224135-73
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.07.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5224136-18
7 등록사정서
Decision to grant		 2001.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0058919-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 FD제출서
FD Submission		 2001.05.17 수리 (Accepted) 2-1-2001-5081091-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055004-78
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판 상부에 제 1 장벽 금속층, 금속층 및 제 2 장벽 금속층을 순차적으로 증착한 후 패터닝하여 금속 배선을 형성하는 단계와,

상기 금속 배선 측면에 플라즈마 에치 백공정으로 금속 스페이서를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지되,

상기 제 1 장벽금속층, 제 2 장벽금속층 및 금속스페이서는 TiW 으로 이루어 지고, 상기 금속층은 알룸미늄-구리 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 장벽 금속층은 1500 내지 3000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 2000 내지 4000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 장벽 금속층은 1000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.