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비휘발성 강유전체 메모리

  • 기술번호 : KST2015076767
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 강유전체 메모리의 동작 수명을 향상시키기 위하여, 선택 되지 않는 센스 앰프(S/A)에 연결되어 있는 기준 셀은 읽기/쓰기 동작 시에 기준 셀의 워드 선을 선택하지 않도록 기준 셀을 배치함으로써, 기준 셀에 인가되는 사이클의 횟수를 감소시키는 강유전체 메모리 소자가 개시된다. 본 발명은, 1 개의 선택 트랜지스터 및 1 개의 강유전체 저장 캐피시터를 각각 구비한 메모리 셀 및 기준 셀들이 매트릭스 형상으로 배열된 비휘발성 강유전체 메모리에 있어서, 그 출력단은 상기 기준 셀의 선택 트랜지스터의 게이트에 연결되고, 그 입력단의 일단은 기준 셀의 워드 선에 연결되고, 입력단의 타단은 해당 기준 셀의 선택 신호에 연결되는 AND 논리 게이트를 구비함으로써, 상기 해당 기준 셀의 선택 신호와 기준 셀의 워드 선의 신호가 모두 인가되었을 경우에만, 기준 셀을 구동시킨다. 본 발명에 따르면, 선택된 센스 앰프에 연결된 해당 기준 셀의 선택 트랜지스터가 on되어 기준 셀의 정보가 읽어 지기 때문에 기준 셀에 인가되는 전압의 사이클 횟수가 감소된다. 그 결과, 메모리의 전체 수명이 증가하게 된다.
Int. CL G11C 7/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980051099 (1998.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0316241-0000 (2001.11.19)
공개번호/일자 10-2000-0034004 (2000.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김시호 대한민국 대전광역시 서구
2 김보우 대한민국 대전광역시 유성구
3 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구
4 이원재 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0399997-49
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0399999-30
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0399998-95
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.08.25 수리 (Accepted) 9-1-2000-0002696-38
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0235018-05
6 의견서
Written Opinion		 2000.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5357615-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0121556-96
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2001-0015602-38
10 등록결정서
Decision to grant		 2001.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0220004-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

서로 상보성을 가지는 다수의 제 1 비트선과 다수의 제2 비트선이 순차적으로 배열된 비트선, 상기 비트선에 수직으로 교차되어 있는 복수의 워드선, 상기 워드 선과 비트선에 연결된 선택 트랜지스터와 상기 선택 트랜지스터와 플레이트 선에 연결된 강유전체 저장 커패시터로 이루어진 복수의 저장 셀을 포함하여 이루어진 비휘발성 강유전체 메모리에 있어서,

상기 복수의 워드선은 기준 셀 워드선을 포함하고,

상기 제 1 비트선에 소오스가 연결된 선택 트랜지스터와, 상기 선택 트랜지스터의 게이트에 출력단이 연결되고 상기 기준 셀 워드선에 하나의 입력단이 연결되며 다른 입력단이 해당 기준 셀의 선택 신호에 연결된 AND 논리 게이트로 이루어져 상기 복수의 저장 셀과 함께 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 기준 셀, 및

상기 복수의 비트선 중에 하나의 제 1 비트선과 하나의 제 2 비트선에 연결된 복수의 센스 엠프를 포함하며, 상기 복수의 기준 셀은 읽기/쓰기 동작을 위해 복수의 저장 셀 중에 소수의 저장 셀이 선택되면, 선택된 저장 셀의 제 1 및 제2 비트선을 공유하는 기준 셀만이 상기 AND 논리 게이트에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 강유전체 메모리

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 해당 기준 셀의 선택 신호로서, 열 디코더(column decoder)의 센스 앰프 선택신호를 사용하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 해당 기준 셀의 선택 신호로서, 열 어드레스(column address)로부터 직접 디코딩된 선택신호를 사용하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리

4 4

서로 상보성을 가지는 다수의 제 1 비트선과 다수의 제2 비트선이 순차적으로 배열된 비트선, 상기 비트선에 수직으로 교차되어 있는 복수의 워드선, 상기 워드 선과 비트선에 연결된 선택 트랜지스터와 상기 선택 트랜지스터와 플레이트 선에 연결된 강유전체 저장 커패시터로 이루어진 복수의 저장 셀을 포함하여 이루어진 비휘발성 강유전체 메모리에 있어서,

상기 복수의 워드선은 기준 셀 워드선을 포함하고,

상기 제 1 비트선에 소오스가 연결된 선택 트랜지스터와, 상기 선택 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되고, 해당 기준 셀 워드선에 게이트가 연결되며 해당 기준 셀의 선택 신호에 소오스가 연결된 1개의 MOS 트랜지스터로 이루어져 상기 복수의 저장 셀과 함께 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 기준 셀; 및

하나의 제1 비트선과 하나의 제2 비트선에 연결된 복수의 센스 엠프를 포함하며, 상기 복수의 기준 셀은 읽기/쓰기 동작을 위해 복수의 저장 셀 중에 소수의 저장 셀이 선택되면, 선택된 저장 셀의 제1 및 제2 비트선을 공유하는 기준 셀만이 상기 MOS 트랜지스터에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 강유전체 메모리

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 해당 기준 셀의 선택 신호로서, 열 디코더(column decoder)의 센스 앰프 선택신호를 사용하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 해당 기준 셀의 선택 신호로서, 열 어드레스(column address)로부터 직접 코딩된 선택신호를 사용하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리

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1 US06147896 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6147896 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.