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화합물반도체소자의오믹접촉및그형성방법

  • 기술번호 : KST2015076789
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 소자, 특히 갈륨비소를 기초로 한 소자의 저저항성 오믹 접촉 구조 및 그 형성방법에 관한 것으로, 전자선 증착장치를 이용하여 규소가 도핑된 갈륨비소 기판 위에 팔라듐/게르마늄/금/팔라듐/금 구조로 증착한 후 급속열처리 방법으로 오믹 접촉을 형성하는데 그 특징을 갖는 바, 팔라듐/게르마늄/금/팔라듐/금 구조를 이용하여 금-갈륨의 상이 형성되면서 발생하는 갈륨 빈자리를 게르마늄이 치환되어 표면의 도핑 농도를 증가시키도록 하고, 또한 최적의 온도로 열처리하므로써 선형성 전류-전압 특성과 저저항성 및 열안정성을 가지는 오믹 접촉을 형성한다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01)
CPC H01L 29/452(2013.01) H01L 29/452(2013.01)
출원번호/일자 1019980048835 (1998.11.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0358172-0000 (2002.10.10)
공개번호/일자 10-2000-0032392 (2000.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임종원 대한민국 서울특별시 강남구
2 문재경 대한민국 대전광역시 유성구
3 배윤규 대한민국 대전광역시 서구
4 이재진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0371771-94
2 특허출원서
Patent Application		 1998.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0392841-28
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0371770-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0234359-80
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2000-5355659-13
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2000-5391956-13
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-5018900-08
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.02.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5048247-38
9 의견서
Written Opinion		 2001.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-5048246-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0217003-33
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-5287018-84
13 의견서
Written Opinion		 2001.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-5317023-51
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0183311-94
15 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2002.07.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2002-5012486-86
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 등록결정서
Decision to grant		 2002.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0333884-52
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체소자 제조방법에 있어서,

Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 준비하는 단계;

상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층 상에 오믹접촉을 위한 금속으로서 제1팔라듐층, 게르마늄층, 제1(Au))금층, 제2팔라듐층 및 제2금(Au)층을 차례로 형성하는 단계;

300∼450℃에서 약 30초 동안 실시하는 제1급속열처리단계; 및

300∼450℃에서 약 15초 간격으로 총 80∼100초 동안 실시하는 제2급속열처리

를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 오믹 접촉 형성방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층은 갈륨비소층임을 특징으로 하는 오믹 접촉 형성방법

3 3

Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체소자에 있어서,

Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층 상에 오믹 금속으로서 제1팔라듐층, 게르마늄층, 제1금(Au)층, 제2팔라듐층 및 제2금(Au)층이 차례로 적층되어 오믹 접촉을 이루며,

상기 제1팔라듐층, 게르마늄층, 제1금(Au)층, 제2팔라듐층 및 제2금(Au)층은 실질적으로 각각 200Å, 500Å, 100Å, 500Å 및 1000Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자

4 4

제3항에 있어서,

상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층은 갈륨비소층임을 특징으로 하는 반도체소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.