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불소치환폴리아릴렌에테르공중합체및이를이용한폴리머광소자

  • 기술번호 : KST2015076819
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 곁가지에 이미드 고리를 가진 불소 치환 폴리아릴렌에테르계 고분자 및 이를 코어층으로 사용한 도파로형 폴리머 광소자가 개시된다. 본 발명의 고분자 곁가지에 이미드 고리를 가진 불소 치환 폴리아릴렌 에테르는, 먼저 데카풀로로 바이페닐과 아민기를 가진 아로마틱 디올의 열축중합에 의하여 아민 함유 폴리아릴렌에테르를 합성한 후, 고분자 반응을 통하여 할로겐기 함유 아로마틱 언하이드리드를 고분자 곁가지에 도입하여 광도파로 소자용 고분자를 제조한다. 상기 고분자는 주쇄 구조에서 높은 불소 치환과 곁가지의 할로겐 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제하여 광진행 손실이 아주 낮다. 본 발명은 고분자 곁가지에 할로겐 함유 아미드 고리를 도입함으로써, 고분자 메트릭스의 내화학성을 향상 시켜 다층 막박 공정이 가능하며, 뒤틀린 분자 구조로 인하여 광학적 복굴절성이 매우 작다. 또한, 열적으로 분해와 승화되지 않아 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
Int. CL C08G 65/38 (2006.01)
CPC C08G 65/38(2013.01) C08G 65/38(2013.01) C08G 65/38(2013.01)
출원번호/일자 1019980051081 (1998.11.26)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0292800-0000 (2001.03.27)
공개번호/일자 10-2000-0033986 (2000.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이형종 대한민국 대전광역시 유성구
2 이명현 대한민국 대전광역시 유성구
3 오민철 대한민국 대전광역시 유성구
4 안주헌 대한민국 대전광역시 유성구
5 한선규 대한민국 대전광역시 서구
6 홍소연 대한민국 충청남도 부여군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0399944-30
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0399945-86
3 특허출원서
Patent Application		 1998.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0399943-95
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0184505-43
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.09.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5286041-11
8 의견서
Written Opinion		 2000.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5286040-76
9 등록사정서
Decision to grant		 2001.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0011144-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

하기 화학식으로 표현되는 곁 가지(side chain)에 아민기를 가진 불소 치환 폴리아릴렌에테르 유도체:

2

하기 화학식으로 표시되는 광도파로용 고분자로 곁 가지에 이미드기를 가진 불소 치환 폴리아릴렌에테르 유도체:

3

제2항에 있어서, 상기 곁 가지에, 복굴절율을 감소시키기 위하여, 할로겐기를 도입한 것을 특징으로 하는 광도파로용 고분자로 곁가지에 이미드기를 가진 불소 치환 폴리아릴렌에테르 유도체

4 4

평면 기판 상에 형성된 하부 클래딩층과, 상기한 하부 클래딩층 상에 형성된 코어층과, 상기한 코어층 상에 형성된 상부 클래딩층을 포함하는 광 도파로형 광소자에 있어서, 상기 클래딩층 및 코어층이 하기 화학식으로 표시되는 불소 치환 폴리아릴렌에테르 유도체를 사용한 것을 특징으로 하는 광 도파로형 광 소자:

5

제4항에 있어서, 복굴절율을 감소시키기 위하여, 할로겐기를 도입한 것을 특징으로 하는 불소치환 폴리아릴렌에테르 유도체를 사용한 것을 특징으로 하는 광 도파로형 광 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.