평면형 광증폭기에 있어서,

하부클래드층 상의 광증폭영역에 형성된 어븀-도우프트 코아층;

상기 광증폭영역을 제외한 영역의 상기 하부클래드층 상에 형성된 어븀-언도우프트 코아층;

상기 어븀-언도우프트 코아층에 형성된 입력단;

상기 입력단과 연결되며 상기 광증폭영역의 상기 어븀-도우프트 코아층에 형성된 광도파로; 및

상기 광도파로에 연결되며 상기 어븀-언도우프트 코아층에 형성된 출력단

을 포함하는 평면형 광증폭기

광소자 제조 방법에 있어서,

하부클래드층 상에 어븀-언도우프트 코아층을 형성하는 제1 단계;

상기 어븀-언도우프트 코아층을 선택적으로 식각하여 광증폭영역을 정의하는 제2 단계;

상기 광증폭영역에 어븀-도우프트 코아층을 형성하는 제3 단계;

상기 어븀-언도우프트 코아층 및 상기 어븀-도우프트 코아층을 선택적으로 식각하여, 그 각각의 일단이 상기 광증폭영역에 연결되는 입력단 및 출력단을 상기 어븀-언도우프트 코아층에 형성하고, 상기 입력단과 상기 출력단 사이의 상기 광증폭영역에 광도파로를 형성하는 제4 단계; 및

상기 제4 단계가 완료된 전체 구조 상에 상부클래드층을 형성하는 제5 단계

를 포함하는 광소자 제조 방법

제 2 항에 있어서,

상기 제4 단계에서,

상기 입력단과 상기 광증폭영역 사이의 상기 어븀-언도우프트 코아층에 파장 다중화 결합기를 형성하여 상기 입력단과 상기 광도파로를 연결시키는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법

제 3 항에 있어서,

상기 제2 단계에서,

상기 어븀-언도우프트 코아층과 상기 어븀-도우프트 코아층 계면에 무반사 결합을 위한 경사결합부를 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법

제 4 항에 있어서,

제 5 항에 있어서,

상기 제4 단계에서,

상기 파장분리기에 이웃하는 상기 어븀-언도우프트 코아층에 무반사 경사 도파로를 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법

제 3 항에 있어서,

상기 어븀-언도우프트 코아층과 상기 어븀-도우프트 코아층 계면에 거울을 형성하여 EDPL을 제조하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법

제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제2 단계는,

상기 어븀-언도우프트 코아층 상에 알루미늄막을 증착하는 단계;

상기 알루미늄막 상에 상기 광증폭영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;

상기 감광막 패턴을 식각마스크로 상기 알루미늄막을 식각하는 단계;

상기 알루미늄막을 마스크로 상기 어븀-언도우프트 코아층을 식각하는 단계; 및

상기 알루미늄막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법

제 8 항에 있어서,

상기 제2 단계 후,

어븀-언도우프트 코아층 식각 측면의 평활도를 유지하기 위하여 열처리를 실시하여 재용융하는 제6 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법

제 8 항에 있어서,

상기 제3 단계는,

상기 제2 단계가 완료된 전체 구조 상에 상기 어븀-도우프트 코아층을 형성하는 단계;

상기 광증폭영역의 상기 어븀-도우프트 코아층 상에 식각마스크를 형성하는 단계;