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이종접합 쌍극자 트랜지스터를 이용한 집적화된 주입논리 소자제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076896
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 쌍극자 트랜지스터를 이용한 집적화된 주입논리소자(I2L) 제조 방법에 관한 것으로, 콜렉터 상층구조 Npn 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 경우에, 콜렉터 영역과 에미터 영역 간의 비를 증가시켜 상향 전류이득(up-beta)을 크게 하고 다수 콜렉터(multi-collector) 영역을 전기적으로 분리시키기 위하여, Be+ 이온을 콜렉터 상층구조 Npn 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 부콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층을 관통하고 그 아래에 있는 에미터층 상부에 도달하도록 주입시키는 방법을 사용하고, 수직 pnp 쌍극자 트랜지스터의 경우에, 콜렉터 상층구조 Npn 이종접합 쌍극자 트랜지스터 활성영역 외부의 베이스층 상에 수직 pnp쌍극자 트랜지스터의 콜렉터, 베이스, 에미터로서의 화합물반도체 에피층을 재성장시켜, 전류이득이 크고 베이스-콜렉터 접합 파괴전압이 큰 수직 pnp 쌍극자 트랜지스터를 제작하는 것이다. 그리고, Si+ 이온을 에미터캡층 깊이까지 형성하여 접지전극을 이 위에 형성하므로써, 입력전극 및 출력전극과 더불어 접지전극이 기판의 동일한 일면에 형성되기 때문에 완전한 평탄화를 이룰 수 있다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 27/0233(2013.01) H01L 27/0233(2013.01) H01L 27/0233(2013.01)
출원번호/일자 1019980045266 (1998.10.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0270316-0000 (2000.07.31)
공개번호/일자 10-2000-0027351 (2000.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 중구
3 박성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1998-0386609-56
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1998-0359674-81
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1998-0359675-26
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0173842-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

이종접합 쌍극자 트랜지스터를 이용한 I2L 소자 제조방법에 있어서,

화합물반도체층 상에 제1도전형의 에미터캡층 및 에미터층, 제2도전형의 베이스층, 제1도전형의 콜렉터층 및 부콜렉터층을 순차적으로 형성하는 단계;

제1 쌍극자 트랜지스터의 활성영역 이외 영역의 상기 부콜렉터층, 상기 콜렉터층을 선택적으로 식각 제거하는 단계;

상기 제1 쌍극자 트랜지스터의 활성영역과 이에 인접한 제2 쌍극자 트랜지스터가 형성될 영역을 마스킹하고 상기 베이층을 식각하는 단계;

상기 제2 쌍극자 트랜지스터가 형성될 영역의 상기 베이스층 상에 선택적으로 제2도전형의 제1에피층과 제1도전형의 제2에피층과 제2도전형의 제3에피층을 차례로 형성하는 단계;

노출된 상기 에미터층 상에 제1도전형의 제4에피층을 형성하는 단계;

상기 제1 쌍극자 트랜지스터의 활성영역에 적어도 한군데에 제2도전형 불순물 이온주입을 실시하되, 상기 이온주입 깊이가 상기 에미터층의 표면까지 이루어지도록 하는 단계;

상기 제1 쌍극자 트랜지스터와 상기 제2 쌍극자 트랜지스터를 덮는 마스크를 이용하여, 상기 에미터층을 관통하도록 제1도전형의 불순물 이온주입을 실시하는 단계;

상기 제3에피층의 가장자리에 제3불순물이온주입영역을 형성하는 단계; 및

상기 제3에피층과, 상기 부콜렉터층, 및 상기 제2도전형의 불순물 이온주입된 영역 상에 각각 주입전극, 출력전극, 입력전극을 형성하는 단계

를 포함하여 이루어진 I2L 소자 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 제4에피층은 상기 콜렉터층과 도핑농도가 같고, 두께가 상기 베이스층, 상기 콜렉터층 및 상기 부쿨렉터층을 합한 것과 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 I2L 소자 제조방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제2도전형 불순물은 Be+ 이온임을 특징으로 하는 I2L 소자 제조방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제1도전형 불순물은 Si+ 이온임을 특징으로 하는 I2L 소자 제조방법

5 5

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제3불순물은 B+ 이온임을 특징으로 하는 I2L 소자 제조방법

6 6

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제1, 제2 및 제3 에피층을 형성하는 단계는,

상기 제1, 제2 및 제3 에피층을 성장시키기 이전에 상기 제2 쌍극자 트랜지스터가 형성될 영역의 상기 베이스층 표면만을 노출시키는 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 I2L 소자 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.