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주파수 혼합기에 있어서, 국부 발진자 신호 및 고주파 신호를 각각 입력받는 제1 및 제2 정합 회로부; 상기 제1 및 제2 정합 회로부로부터 각각 출력되는 주파수 신호를 입력받아 혼합하여 새로운 주파수 성분을 가지는 중간 주파 신호로 변환 출력하는 주파수 코아 회로부; 및 상기 주파수 코아 회로부로부터 출력되는 중간 주파 신호를 저대역 필터링하여 최종 중간 주파 신호로 출력하는 저대역 여파 회로부를 포함하며, 상기 주파수 코아 회로부는, 상기 제1 및 제2 정합 회로부로부터 각각 출력되는 상기 국부 발진자 신호 및 상기 고주파 신호를 인가받는, 캐스코드 형태로 이루어진 입력 수단; 상기 입력 수단으로부터의 상기 국부 발진자 신호 및 상기 고주파 신호에 응답하여 증폭 동작을 수행한 후 서로 상보적인 두 개의 중간 주파 신호를 출력하기 위한 증폭 수단; 및 상기 증폭 수단으로부터의 상기 서로 상보적인 두 개의 중간 주파 신호를 입력받아 동위상 신호를 제거한 후 주파수를 혼합하여 상기 저대역 여파 회로부로 출력하는 푸시-풀 구조의 출력 정합 수단
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제 1 항에 있어서, 상기 주파수 코아 회로부는, 상기 입력 수단, 상기 증폭 수단 및 상기 출력 정합 수단으로 입력되는 게이트 바이어스 전압을 생성하기 위한 게이트 바이어스 전압 생성 수단을 더 포함하여 이루어지는 주파수 혼합기
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제 2 항에 있어서, 상기 입력 수단은, 상기 고주파 신호를 인가받는 고주파 신호 입력단; 게이트단이 상기 고주파 신호 입력단에 연결되고 소오스단이 접지된 제1 트랜지스터; 상기 국부 발진자 신호를 인가받는 국부 발진자 신호 입력단; 및 소오스단이 상기 제1 트랜지스터의 드레인단에 연결되고 게이트단이 상기 국부 발진자 신호 입력단에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 게이트 바이어스 전압 생성 수단으로부터의 게이트 바이어스 전압이 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 각 게이트단에 인가되도록 구성됨을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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제 3 항에 있어서, 상기 입력 수단은, 상기 고주파 신호 입력단 및 제1 트랜지스터의 게이트단 사이에 연결되는 제 1 커패시터; 및 상기 국부 발진자 신호 입력단 및 트랜지스터의 게이트단 사이에 연결되는 제2 커패시터 를 더 포함하여 이루어지는 주파수 혼합기
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제 3 항에 있어서, 상기 증폭 수단은, 상기 제1 트랜지스터의 드레인단 및 제1 드레인 바이어스 전압단 사이에 연결되며 게이트단이 접지전원단에 연결되는 제3 트랜지스터; 및 상기 제2 트랜지스터의 드레인단 및 상기 제1 드레인 바이어스 전압단 사 이에 연결되며 게이트단이 접지전원단에 연결되는 제4 트랜지스터를 포함하며, 상기 제3 및 제4 트랜지스터의 각 게이트단으로 상기 게이트 바이어스 전압 생성 수단으로부터의 게이트 바이어스 전압이 인가되도록 구성됨을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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제 5 항에 있어서, 상기 증폭 수단은, 상기 제3 트랜지스터의 게이트단 및 접지전원단 사이에 접속되는 접지용 커패시터를 더 포함하여 이루어지는 주파수 혼합기
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제 5 항에 있어서, 상기 증폭 수단은, 상기 제3 트랜지스터의 드레인단 및 상기 제1 드레인 바이어스 전압단 사이에 연결되는 제1 인덕터; 및 상기 제4 트랜지스터의 드레인단 및 상기 제1 드레인 바이어스 전압단 사이에 연결되는 제2 인덕터 를 더 포함하여 이루어지는 주파수 혼합기
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제 5 항에 있어서, 상기 증폭수단은, 상기 제3 및 제4 트랜지스터의 게이트 폭 크기를 조절함으로써 증폭율을 조절하는 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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제 5 항에 있어서, 상기 출력 정합 수단은, 제2 드레인 바이어스 전압단 및 접지전원단 사이에 직렬 연결되며, 각각의 게이트단이 상기 제4 트랜지스터의 드레인단 및 상기 제3 트랜지스터의 드레인단에 연결되는 제5 및 제6 트랜지스터; 및 상기 제5 트랜지스터의 소스단 및 상기 제6 트랜지스터의 드레인단에 연결되어 상기 중간 주파 신호를 출력하는 출력단 을 포함하여 이루어지는 주파수 혼합기
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10
제 9 항에 있어서, 상기 출력 정합 수단은, 상기 제5 트랜지스터의 소스단 및 상기 제6 트랜지스터의 드레인단과 상기 출력단 사이에 연결되는 커패시터 을 포함하여 이루어지는 주파수 혼합기
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11
제 9 항에 있어서, 상기 제1 내지 제6 트랜지스터는 각각, 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal Semiconductor Field-Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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제 9 항에 있어서, 상기 제1 내지 제6 트랜지스터는 각각, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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제 9 항에 있어서, 상기 제1 내지 제6 트랜지스터는 각각, 바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor)인 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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