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이단계게이트리세스공정을이용한화합물반도체소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015076989
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이단계 게이트 리세스(recess) 공정을 이용하여 이단 T-형상의 게이트 구조를 갖는 화합물반도체 소자를 제조하는 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 이단계 게이트 리세스 방법을 이용하여 제작된 T-형 게이트에 의하면, 쇼트키 층과 접촉하는 게이트 전극의 게이트 길이가 실제로 게이트 패턴의 길이와 동일하기 때문에 소자의 차단 주파수의 저하없이 고주파 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 2 단의 T-형상의 게이트 전극패턴 하부에 절연막 스페이서를 구비함으로써, 게이트 전극과 소오스/드레인 전극 간의 절연 특성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 신뢰성이 높은 초고속 저잡음의 화합물 반도체 소자를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019980053108 (1998.12.04)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0289328-0000 (2001.02.19)
공개번호/일자 10-2000-0038204 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20011228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
2 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
3 박병선 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1998-0405515-54
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1998-0405516-00
3 특허출원서
Patent Application		 1998.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1998-0405514-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2000-0002173-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0216296-80
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.10.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5314650-19
9 의견서
Written Opinion		 2000.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-5314649-62
10 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0340764-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화합물 반도체 소자를 제조하는 제조하는 방법에 있어서,

(a) 복수의 에피택셜층들을 구비한 화합물 반도체 에피택셜 기판 상에 선택적인 게이트 리세스(recess)용 이중의 식각정지(etch-stop)층과 오믹콘택층을 순차적으로 성장하는 단계;

(b) 상기 결과물 상에 T-형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용함과 아울러 2 단계 게이트 리세스 공정을 이용하여 상기 오믹 콘택층과 이중의 식각정치층을 식각하여 T-형상의 게이트 리세스 패턴을 형성하는 단계;

(c) 상기 결과물 상에 게이트 금속을 증착한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 리프트-오프(lift-off) 하여 유효 게이트 길이가 감소한 이단 T-형상의 게이트 전극을 형성하는 단계;

(d) 상기 이단 T-형상의 게이트 전극을 마스크로 이용하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;및

(e)소오스와 드레인간의 절연특성을 향상하기 위하여 T형상 하부를 둘러싸는 절연막 스페이서를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이단계 게이트 리세스 공정을 이용한 화합물 반도체소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.