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강유전체 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077003
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 소자의 게이트 유전체로서 유전율이 낮고 고온 특성이 우수한 강유전체를 사용함으로써, 전계효과 트랜지스터(FET; field effect transistor)의 특성을 향상시킨 MFIS(Metal-Ferroelectrics-Insulator-Silicon) 구조의 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 소자격리 산화막에 의해 트랜지스터의 활성영역이 정의된 반도체 기판의 활성영역 상에 MFIS 구조의 게이트를 구비한 단일 강유전체 전계효과 트랜지스터에 있어서, 상기 MFIS형 게이트 구조는, 그 하부로부터 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막 상에 형성된 바륨-티타늄-나이오븀 산화물(Ba-Ti-Nb-O)의 강유전 박막과, 상기 Ba-Ti-Nb-O의 강유전 박막 상에 형성된 금속 게이트 전극, 및 상기 게이트의 전표면 상에 형성된 보호막을 포함한다.
Int. CL H01L 27/085 (2006.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1019980043238 (1998.10.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0025935 (2000.05.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김보우 대한민국 대전광역시 유성구
2 조채룡 대한민국 대전광역시 유성구
3 이원재 대한민국 대전광역시 유성구
4 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.10.15 수리 (Accepted) 1-1-1998-0382099-77
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.15 수리 (Accepted) 1-1-1998-0350650-31
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.15 수리 (Accepted) 1-1-1998-0350649-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0287871-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0100047-21
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

소자격리 산화막에 의해 트랜지스터의 활성영역이 정의된 반도체 기판의 활성영역 상에 MFIS(Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon) 구조의 게이트를 구비한 단일 강유전체 전계효과 트랜지스터에 있어서,

상기 MFIS형 게이트 구조는,

그 하부로부터 게이트 산화막;

상기 게이트 산화막 상에 형성된 바륨-티타늄-나이오븀 산화물(Ba-Ti-Nb-O)의 강유전 박막;

상기 Ba-Ti-Nb-O의 강유전 박막 상에 형성된 금속 게이트 전극; 및

상기 게이트의 전표면 상에 형성된 보호막을 포함한 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과 트랜지스터

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 산화막은,

실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), CeO2, Ta2O3, 또는 ZrO2로 이루어진 일군의 산화물 그룹 가운데 선택된 어느 하나의 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과 트랜지스터

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 바륨-티타늄-나이오븀 산화물의 강유전 박막과 상기 게이트 산화막과의 사이에 전도성 박막을 추가로 형성하여 MFMIS 형의 게이트 구조를 형성한 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과 트랜지스터

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 전도성 박막은,

백금(Pt)과 같은 금속박막과 LaNiO3 또는 IrO2 와 같은 산화물 전극박막으로 구성된 이중층의 전도성 박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과 트랜지스터

5 5

MFIS(Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon) 구조의 게이트를 구비하는 단일 강유전체 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서,

(a) 반도체 기판 내에 활성영역을 정의하기 위한 트렌치(trench)를 형성한 후, 상기 트렌치 내에 소정의 절연막을 채워 소자격리 절연막을 형성하는 단계;

(b) 상기 소자격리 절연막에 의해 한정된 반도체 기판 상의 활성영역에 게이트 산화막과, 바륨-티타늄-나이오븀 산화물(Ba-Ti-Nb-O)의 강유전 박막 및 금속 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계;

(c) 상기 MFI(Metal/Ferroelectrics/Insulator) 구조의 게이트 패턴의 전표면 상에 보호막을 형성하는 단계; 및

(d) 상기 결과물 상에 불순물 주입 및 활성화 공정을 통하여 소오스/드레인 확산층을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 MFIS 구조의 강유전체 전계효과 트랜지스터의 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 게이트 산화막은,

실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), CeO2, Ta2O3, 또는 ZrO2로 이루어진 일군의 산화물 그룹 가운데 선택된 어느 하나의 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과 트랜지스터의 제조방법

7 7

제 5 항에 있어서,

상기 바륨-티타늄-나이오븀 산화물의 박막과 상기 게이트 산화막과의 사이에 전도성 박막을 추가로 형성하여 MFMIS 구조의 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과 트랜지스터의 제조방법

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 전도성 박막은,

백금(Pt)과 같은 금속박막과 LaNiO3 또는 IrO2 와 같은 산화물 전극박막으로 구성된 이중층의 전도성 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.