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트렌치이중확산전력소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015077028
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트렌치 이중확산(TDMOS) 전력소자의 제조방법에 관한 것으로서, TDMOS 구조에서 게이트 바닥의 가장자리와 소스/드레인의 가장자리에 두꺼운 산화막을 성장시킴으로써, 전력소자의 항복전압을 향상시킬 수 있고, 트렌치형 전력소자의 단점인 누설전류 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 게이트 정의 및 p+ 오믹 접촉용 이온주입시 자체정렬이 가능함으로써 공정단순화 및 기록밀도 향상과 전력구동향상 그리고 온(on-) 저항값을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/7813(2013.01)
출원번호/일자 1019980041256 (1998.09.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0021964 (2000.04.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.09.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종대 대한민국 대전광역시 유성구
2 김상기 대한민국 대전광역시 유성구
3 이대우 대한민국 대전광역시 유성구
4 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
5 김대용 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0123903-29
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0123905-10
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0123904-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0216258-55
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5331908-36
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5373413-11
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5405588-87
8 의견서
Written Opinion		 2000.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5405587-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0170514-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

트렌치 이중확산(TDMOS) 전력소자 제조방법에 있어서,

기판 위에 산화막/질화막/산화막을 에칭하고 트렌치를 형성한 후 2차 질화막을 성장시키는 제 1 공정과;

RIE 에칭을 이용하여 상기 트렌치 바닥에 1차 두꺼운 산화막을 성장시키는 제 2 공정과;

감광막으로 상기 트렌치 내부를 채운 후 2차 두꺼운 산화막을 성장시키는 제 3 공정과;

다결정실리콘을 증착하고 상기 2차 두꺼운 산화막을 제거한 후 1차 질화막을 에칭하는 제 4 공정과;

상기 1차 질화막을 제거하고 측벽공간을 형성한 후 금속전극을 형성하는 제 5 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 이중확산 전력소자의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 공정은

n+ 및 n- 기판 위에 비저항이 높은 p-층을 형성하는 제 1 단계와;

형성한 p- 층 위에 200∼500Å의 보호산화막과 1000∼2000Å의 LPCVD 질화막 및 3000∼5000Å의 PECVD LTO를 성장시키는 제 2 단계와;

감광막을 이용하여 상기 산화막/질화막/산화막 층을 에칭하고 트렌치를 형성하는 제 4 단계와;

트렌치 형성 후 게이트산화막을 성장시키고 제 2 차 질화막을 성장시키는 제 5 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 이중확산 전력소자의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 공정은

RIE에칭을 이용하여 트렌치 바닥 및 실리콘 표면의 질화막을 에칭하는 제 1 단계와;

질화막 에칭 후 트렌치바닥의 가장자리에 두꺼운 산화막을 성장시키는 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 이중확산 전력소자의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 3 공정은

감광막을 트렌치 내부와 실리콘 표면을 채운 후 백에칭을 이용하여 상기 2차 질화막을 에칭하는 제 1 단계와;

2차 질화막 에칭 후 2차 두꺼운 산화막을 소스/드레인 가장자리에 성장시키는 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 이중확산 전력소자의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 제 4 공정은

다결정 실리콘을 PECVD LTO 위로 증착한 후 백에칭시키는 제 1 단계와;

다결정실리콘 백에칭 후 실리콘 표면의 두꺼운 산화막을 제거하고 LTO를 증착한 후 1차 질화막이 드러날 때까지 에칭하는 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 이중확산 전력소자의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 제 5 공정은

n+ 소스/드레인을 형성하고 상기 1차 질화막을 제거하고 2차 LTO를 증착시킨 후 RIE 에칭을 이용하여 측벽 공간을 형성하는 제 1 단계와;

측벽 공간 형성 후 알루미늄을 증착하고 콘택 마스크를 이용하여 콘택을 형성한 후 금속전극을 형성하는 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 이중확산 전력소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.