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나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법

  • 기술번호 : KST2015077039
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 위에 반응성이 뛰어난 저에너지의 질소 이온을 이용하여 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하여 실리콘 표면을 불활성화하는 공정과, 상기 실리콘 나이트라이드 박막 위에 실리콘을 기상 증착하여 수 나노미터 두께의 실리콘 박막을 균일한 높이로 형성하는 공정과, 상기 실리콘 나이트 라이드 박막과 실리콘 박막이 차례로 형성된 기판을 800℃ 정도로 유지하고, 질소 기체를 주입하여 크기가 수-수십 나노미터 정도이고 두께가 단일층 정도인 실리콘 나이트라이드 섬들을 균일하게 형성하는 공정과, 상기 공정에 의해 형성된 구조체의 온도를 700℃정도로 유지하고 산소기체를 주입하여 실리콘 나이트라이드로 덮이지 않은 실리콘 층만 산소에 의해 식각하여 실리콘 양자점을 형성하는 공정과, 반응성 이온을 이용하여 상기 실리콘 양자점을 덮고 있는 단일층의 실리콘 나이트 라이드 막을 제거하는 공정으로 구성되어, 비용 및 시간을 크게 절감시킬 수 있으며, 초고순도의 구조 형성을 기대할 수 있고, 상호 전기적으로 분리된 나노미터 크기의 실리콘 양자점을 제작할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/30 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1019980049310 (1998.11.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0279739-0000 (2000.11.03)
공개번호/일자 10-2000-0032755 (2000.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정숙 대한민국 대전광역시 유성구
2 박강호 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤완수 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1998-0375430-23
2 특허출원서
Patent Application		 1998.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1998-0394557-13
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1998-0375429-87
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0205911-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판 위에 반응성이 뛰어난 저에너지의 질소 이온을 이용하여 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하여 실리콘 표면을 불활성화하는 제 1 공정과,

상기 실리콘 나이트라이드 박막 위에 실리콘을 기상 증착하여 수 나노미터 두께의 균일한 높이의 실리콘 박막을 형성하는 제 2 공정과,

상기 실리콘 나이트 라이드 박막과 실리콘 박막이 차례로 형성된 기판을 800 ℃ 정도로 유지하고, 질소 기체를 주입하여 크기가 수-수십 나노미터 정도이고 두께가 단일층 정도로 균일한 분포를 갖는 실리콘 나이트라이드 섬들을 형성하는 제 3 공정과,

상기 제 3 공정에 의해 형성된 구조체의 온도를 700℃정도로 유지하고 산소기체를 주입하여 실리콘 나이트라이드로 덮이지 않은 실리콘 층만 산소에 의해 식각하여 실리콘 양자점을 형성하는 제 4 공정과,

반응성 이온을 이용하여 상기 실리콘 양자점을 덮고 있는 단일층의 실리콘 나이트 라이드 막을 제거하는 제 5 공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 공정은

약 100 eV의 질소 이온을 기판에 주입한 후 약 980℃에서 수분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 공정은

상기 제 1 공정에서 실리콘 나이트 라이드 박막이 형성된 기판을 350℃ 정도로 유지하면서, 1300℃ 정도로 가열된 실리콘 증발기(evaporator)에 가까이 접근시켜 상기 실리콘 나이트라이드 박막위에 실리콘을 기상 증착하는 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 3 공정은

상기 제 2 공정에서 형성된 구조체 위에 부분압이 1×10-5Torr 정도인 질소 기체를 주입하여 0

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 제 4 공정은

상기 제 3 공정에서 형성된 구조체 위에 부분압이 1×10-7Torr 정도인 산소 기체를 주입하여 실리콘 양자점을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 제 5 공정은

상기 제 4 공정에 의해 형성된 구조체의 표면에 100∼200eV의 에너지를 갖는 CF4+이온을 주입시켜 상기 단일층의 실리콘 나이트 라이드 막을 제거한 후, 약 900℃에서 열처리하여 원자적으로 손상된 실리콘 표면을 복구하는 것을 특징으로 하는 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법

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1 US6235618 US 미국 DOCDBFAMILY
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