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에프이디 팁 제작용 마스크 구조 및 제작방법

  • 기술번호 : KST2015077109
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 FED(field emission display) 팁(tip) 형성에 필요한 규칙적인 배열을 갖는 미세 패턴을 제작하기 위한 마스크의 구조 및 그것을 제작하는 기술에 관한 것이다. FED 팁을 형성하는데 필요한 0.35 um 이하의 규칙적인 배열을 갖는 미세 패턴을 형성하려 할 때, 일반적인 자외선 즉 G-line(436 nm)이나 I-line(365 nm,) 스텝퍼를 사용해서는 광의 회절과 간섭 때문에 매우 어려워 KrF laser나 ArF laser 광을 사용하는 스텝퍼를 사용해야 한다. 그러나 이것들은 모두 고가의 노광 장비라 생산성을 맞추기가 매우 어렵다.그러나 본 특허에서 제안하는 마스크를 사용하면 FED 팁을 제작하는데 필요한 0.15 ~ 0.35 um까지의 규칙적인 배열을 갖는 미세 패턴을 G-line(436 nm)이나 I-line(365 nm)을 사용하여 제작할 수 있다. 제안된 마스크는 Qz 기판과 생성된 패턴 사이에 180 도 위상 변환을 통해 노광 강도(intensity)가 영(zero)이 되는 것을 이용한다. 본 발명은 FED 팁 패턴을 형성하는 마스크 부위에는 노광 광을 차단하는 Cr과 같은 물질이 없는 마스크 구조와 제작 방법을 제안한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 1/28(2013.01) G03F 1/28(2013.01) G03F 1/28(2013.01)
출원번호/일자 1019990011744 (1999.04.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0312163-0000 (2001.10.05)
공개번호/일자 10-2000-0065445 (2000.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20011103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.04.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최상수 대한민국 대전광역시유성구
2 이진호 대한민국 대전광역시유성구
3 정해빈 대한민국 대전광역시유성구
4 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application
1999.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1999-0030189-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2000.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2000.11.27 수리 (Accepted) 9-1-2000-0005893-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0328328-02
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2001.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-0033282-47
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2001.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-0059533-11
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.04.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0088355-59
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.04.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0088322-53
9 의견서
Written Opinion
2001.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2001-0088356-05
10 의견서
Written Opinion
2001.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2001-0088323-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 등록결정서
Decision to grant
2001.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0192171-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

접촉 및 근접 노광방식으로 FED 팁용 미세구멍을 패터닝 하기 위한 마스크에 있어서,

마스크 필드 위에 크롬이 없이 유리, Qz(Quartz), 용융석영, SOG, PMMA, Mo계열 물질 중 적어도 하나를 이용하는 90도 위상 조정 물질을 서로 직교하도록 형성하여 90도 위상 조정 물질 단일층 부분, 교차되는 2층 부분, 상기 이용된 위상 조정 물질이 없는 층 부분이 배열되어 마스크 필드내에서 90도, 180도, 0도의 위상조정이 되도록 FED 팁 패턴을 형성하고, 마스크 위의 정렬마크 부위는 180도 위상 조정 물질로 이루어 진 것을 특징으로 하는 FED 팁 제작용 마스크 구조

2 3

접촉 및 근접 노광방식으로 기판에 무정전 레지스트를 도포하고, 1차 위상조정 패턴과 정렬마크 부위를 노광, 현상하고, 90도로 위상이 조정되도록 Qz을 에칭 후, 레지스트를 제거하는 단계와;

다시 무정전 레지스트를 도포하고, 상기 1차 위상조정 패턴과는 서로 교차되는 2차 위상조정 패턴을 노광, 현상하고, 90도로 위상이 조정되도록 Qz을 에칭하고 레지스터를 제거하는 단계를 수행하여

마스크 필드내에 90도, 180도, 0도의 위상조정이 가능한 마스크를 제작하는 것을 특징으로 하는 FED 팁 제작용 마스크 제조방법

3 4

스텝퍼 노광방식으로 FED 팁용 미세구멍을 패터닝 하기 위한 마스크에 있어서,

마스크 필드 위에 크롬이 없고 오직 유리, Qz(Quartz), 용융석영, SOG, PMMA, Mo계열의 물질 중 적어도 하나의 물질을 이용하는 90도 위상 조정 물질을 서로 직교하도록 배치하여 그 교차점의 위상이 180도가 되게 하여 교차점의 4 에지 부위를 FED 팁의 패턴으로 형성하고, 마스크 필드내에 90도, 180도, 0도의 위상조정이 되도록 하며, 마스크 위의 정렬마크 부위는 크롬과 같은 반사도가 90% 이상인 물질로 이루어 진 것을 특징으로 하는 FED 팁 제작용 마스크 구조

4 6

스텝퍼 노광방식으로 크롬이 증착된 기판에 무정전 레지스트를 도포하고, 1차 위상조정 패턴과 정렬마크 부위를 노광, 현상하고, 90도로 위상이 조정되도록 Qz을 에칭후, 레지스트를 제거하는 단계와;

다시 레지스트를 도포하여 필드 부위를 브랭크 노광하고, 현상, 크롬 에칭, Qz에칭 후 레지스트를 제거하는 단계와;

다시 레지스트를 도포후 상기 1차 위상조정 패턴과는 서로 교차되는 2차 위상조정 패턴을 노광하고, 현상후, 90도로 위상이 조정되도록 Qz을 에칭하고 마지막으로 레지스트를 제거하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 FED 팁 제작용 마스크 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.