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이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077160
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 베이스전극과 콜렉터전극 간의 단차가 적고, H+ 이온주입시 부콜렉터층에 수소이온이 주입되는 것을 방지하여 콜렉터 저항을 감소시키는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법을 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명은, Schottky 다이오드에 의해 클램핑된 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에 있어서, 반절연 화합물반도체 기판 상에 부콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터캡층을 차례로 형성하는 제1단계; 상기 에미터캡층과 상기 에미터층을 소정의 제1패턴으로 형성하는 제2단계; 제2패턴 상에 상기 제1패턴이 형성되도록 하는 상기 베이스층과 상기 콜렉터층을 소정의 상기 제2패턴으로 형성하는 제3단계; 상기 제2패턴의 형성으로 인해 노출된 상기 부콜렉터층 상에 상기 제2패턴의 높이까지 제1에피층과 제2에피층을 차례로 형성하는 제4단계; 상기 제2패턴의 일측에 형성된 상기 제2에피층을 선택적으로 식각하는 제5단계; 선택적으로 H+ 이온주입을 행하여 외인성 콜렉터 영역을 손상시키는 제6단계; 및 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터전극과 베이스전극 및 콜렉터전극을 차례로 형성시키는 제7단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.이종접합 쌍극자 트랜지스터, Schottky 다이오드, 클램핑
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019990030378 (1999.07.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0340927-0000 (2002.06.03)
공개번호/일자 10-2001-0011141 (2001.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시중구
3 박성호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-0085512-34
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2000-0176294-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 등록결정서
Decision to grant		 2002.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0191759-66
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

쇼트키 다이오드에 의해 클램핑된 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에 있어서,

반절연 화합물반도체 기판 상에 부콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터캡층을 차례로 형성하는 제1단계;

상기 에미터캡층과 상기 에미터층을 소정의 제1패턴으로 형성하는 제2단계;

제2패턴 상에 상기 제1패턴이 형성되도록 하는 상기 베이스층과 상기 콜렉터층을 소정의 상기 제2패턴으로 형성하는 제3단계;

상기 제2패턴의 형성으로 인해 노출된 상기 부콜렉터층 상에 상기 제2패턴의 높이까지 제1에피층과 제2에피층을 차례로 형성하는 제4단계;

상기 제2패턴의 일측에 형성된 상기 제2에피층을 선택적으로 식각하는 제5단계;

선택적으로 H+ 이온주입을 행하여 외인성 콜렉터 영역을 손상시키는 제6단계; 및

리프트-오프법에 의해 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터전극과 베이스전극 및 콜렉터전극을 차례로 형성시키는 제7단계

를 포함하여 이루어진 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 제1에피층은 상기 부콜렉터층과 도핑농도가 동일하게 형성하고, 상기 제2에피층은 상기 콜렉터층과 도핑농도가 동일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제1에피층과 제2에피층은 서로 두께가 실질적으로 동일하되 이 둘을 합한 두께가 제2패턴의 두께가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.