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이득 결합형 단일모드 반도체 레이저 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077161
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공정의 복잡성 및 광 손실의 단점들을 해결하기 위한 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저 제조방법에 있어서, n형의 기판상에 다중양자우물 활성층 및 p형의 제1클래드층을 차례로 성장시키는 제1단계; 상기 제1클래드층 상에 실리콘질화막 또는 실리콘산화막의 회절격자용 층을 증착한 다음 홀로그래피법으로 상기 회절격자용 층을 패터닝하여 약 50% 이하의 듀티값을 갖는 회절격자를 형성하는 제2단계; 및 상기 제2단계가 완료된 결과물 전면에 p형의 제2클래드층을 형성하는 제3단계; 및 상기 제2클래드층 상에 p형 전극의 접촉층과 전극을 형성하고, 상기 기판의 뒷면에 n형 전극을 형성하는 제4단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 첫째, 회절격자로서 절연체인 규소질화물 또는 규소산화물을 사용하므로서 주기적으로 주입되는 반송자의 변화를 강도 크게 줄 수 있게 되며 이로 인하여 광 손실없이 활성층에 이득변화를 형성하게 되고, 둘째, 보통 선택적 결정성장의 마스크로 사용되는 규소질화물 위에 결장 성장시의 확산 거리를 고려하여 회절격자의 듀티를 설계하게 되면 양질의 p형 클래드층을 격자 결함 없이 형성시킬 수 있다.반도체 레이저, 광손실 최소화, 규소 질화물 회절격자
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 3/0675(2013.01) H01S 3/0675(2013.01) H01S 3/0675(2013.01)
출원번호/일자 1019990030379 (1999.07.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0377184-0000 (2003.03.10)
공개번호/일자 10-2001-0011142 (2001.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오대곤 대한민국 대전광역시중구
2 편광의 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-0085521-45
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2000-0176321-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0152129-64
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-5161102-35
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0246103-68
7 의견서
Written Opinion		 2002.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0246111-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0035355-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

삭제
2 2

이득 결합형 단일모드 반도체 레이저 제조방법에 있어서,

n형의 기판상에 다중양자우물 활성층 및 p형의 제1클래드층을 차례로 성장시키는 제1단계;

상기 제1클래드층 상에 실리콘질화막 또는 실리콘산화막의 회절격자용 층을 증착한 다음 홀로그래피법으로 상기 회절격자용 층을 패터닝하여 약 50% 이하의 듀티값을 갖는 회절격자를 형성하는 제2단계; 및

상기 제2단계가 완료된 결과물 전면에 p형의 제2클래드층을 형성하는 제3단계; 및

상기 제2클래드층 상에 p형 전극의 접촉층과 전극을 형성하고, 상기 기판의 뒷면에 n형 전극을 형성하는 제4단계

를 포함하여 이루어진 반도체 레이저 제조방법

3 3

삭제
4 4

이득 결합형 단일모드 반도체 레이저에 있어서,

n형의 기판상에 적층된 다중양자우물 활성층 및 p형의 제1클래드층;

상기 제1클래드층 상에 주기적인 패턴으로 형성되며 한 주기중 패턴이 차지하는 비율이 약 50% 이하인 실리콘질화막 또는 실리콘산화막의 회절격자;

상기 회절격자를 포함하는 전면에 형성된 p형의 제2클래드층;

상기 제2클래드층 상에 형성된 p형 전극의 접촉층;

상기 접촉층상에 패턴되며 상기 회절격자에 수직한 방향으로 패턴되는 p형 전극; 및

상기 기판의 뒷면에 형성된 n형 전극

을 포함하는 것을 특징으로 하는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저

5 5

제4항에 있어서,

상기 기판 상에 적층된 각 층의 측면을 감싸는 반절연성의 전류차단층을 더 포함하는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.