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폴리머 도파로열 격자 파장 다중/역다중 광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077176
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 폴리머 도파로 패턴 제작시 건식식각 마스크로써 SiNx 박막을 이용한 폴리머 도파로열 격자 파장 다중/역다중화 광소자의 제조방법이 개시된다. 제안된 광소자는 Si 기판 위에 폴리머 물질을 이용하여 도파 박막을 제작하고 SiNx 박막을 이용하여 도파로열 패턴을 제작하여 도파로열 격자 파장 다중/역다중화 광소자를 제작한다. 본 발명에서 제안된 도파로 패턴 제작을 위한 건식식각시 SiNx 식각 마스크를 이용하면 미세한 도파로열 패턴 제작이 가능하고 도파로 측면 패턴이 매우 균일하여 도파손실을 최소화 할 수 있으며 4 마이크론 이상의 큰 식각이 가능하고, 크랙(Crack) 등이 발생하지 않아 제작한 폴리머 광소자의 성능을 향상 시킬 수 있다. 폴리머 도파로열 광소자, 식각마스크, 실리콘 나이트라이드 박막
Int. CL G02B 6/10 (2006.01)
CPC G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01)
출원번호/일자 1019990031781 (1999.08.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0377186-0000 (2003.03.10)
공개번호/일자 10-2001-0016728 (2001.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안주헌 대한민국 대전광역시유성구
2 황월연 대한민국 대전광역시유성구
3 이명현 대한민국 대전광역시유성구
4 이형종 대한민국 대전광역시유성구
5 오민철 대한민국 대전광역시유성구
6 한선규 대한민국 대전광역시서구
7 김해근 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.08.03 수리 (Accepted) 1-1-1999-0089896-33
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2000-0176298-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0196111-63
5 의견서
Written Opinion		 2002.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0246567-28
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0246563-46
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0057258-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

폴리머 도파로열 격자 파장 다중/역다중 광 소자를 제조하는 방법에 있어서,

반도체 기판 상에 폴리머 도파로 하부 클래드층과 폴리머 도파로 코아층을 순차적으로 도포하는 단계;

상기 결과물 상에 SiNx 또는 SiO2 물질을 사용한 식각 마스크용 절연막 패턴을 형성하는 단계;

상기 절연막 패턴을 건식 식각 마스크로 이용하여 상기 폴리머 코아층의 일부를 식각하여 폴리머 도파로 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 결과물 상에 폴리머 도파로 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 폴리머 도파로열 광 소자의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 절연막 패턴의 두께는,

대략 0

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.