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갈륨비소 기판을 사용한 광검출기가 집적된 폴리머 도파로열격자 파장 분할 광소자 및 그 제작방법

  • 기술번호 : KST2015077252
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaAs 기판을 이용한 InGaAs 광검출기가 단일 기판 상에 집적된 구조의 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 GaAs 기판을 사용한 광검출기가 집적된 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자는 1xN, Nx1 또는 NxN으로 구성된 입출력 도파로와, 상기 입력 도파로를 통해 들어온 광신호를 분산시키는 입력 평판 도파로와, 상기 분산된 광신호들이 집속되는 출력 평판 도파로와, 상기 두 개의 평판도파로 사이에 정렬되어 신호를 전달하는 도파로열 격자와, 상기 출력 도파로에 집적되어 상기 출력 도파로에서 분리된 각각의 파장 신호의 광세기를 검출하는 광검출기를 구비한다. 그리고, 본 발명에서 제안된 GaAs 기판을 이용한 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자를 제작하면 InGaAs 광검출기를 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자의 출력단 도파로 부위에 집적시킬 수가 있고, 폴리머 광소자의 잔류 열응력을 Si 기판을 사용하는 경우에 비해 저감시킬 수가 있어, 편광 의존성 등의 소자의 성능이 향상된다.
Int. CL G02B 6/28 (2006.01)
CPC G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01) G02B 6/138(2013.01)
출원번호/일자 1019990029628 (1999.07.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0346780-0000 (2002.07.18)
공개번호/일자 10-2001-0010639 (2001.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안주헌 대한민국 대전광역시유성구
2 황월연 대한민국 대전광역시유성구
3 이명현 대한민국 대전광역시유성구
4 이형종 대한민국 대전광역시유성구
5 오민철 대한민국 대전광역시유성구
6 한선규 대한민국 대전광역시서구
7 김해근 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1999-0083178-30
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-0181830-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 등록결정서
Decision to grant		 2002.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0196112-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

1xN, Nx1 또는 NxN로 구성된 입출력 도파로와,

상기 입력 도파로를 통해 들어온 광신호를 분산시키는 입력 평판 도파로와,

상기 분산된 광신호들이 집속되는 출력 평판 도파로와,

상기 두 개의 평판 도파로 사이에 정렬되어 신호를 전달하는 도파로열 격자와,

상기 출력 도파로에 집적되어 상기 출력 도파로에서 분리된 각각의 파장 신호의 광세기를 검출하는 광검출기를 구비한 것을 특징으로 하는 GaAs 기판을 사용한 광검출기가 집적된 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자

2 2

GaAs 기판(1) 위에, 폴리머 광도파로 하부 클래드층(9) 및 폴리머 광도파로 코어층(10)을 형성하여 폴리머 도파로열 파장 분할 광소자를 형성하는 제 1공정과,

GaAs 기판(1) 위에 n-GaAs 하부 클래드층(2), i-InGaAs 흡수층(3), p-GaAs 상부 클래드층(4), p+InGaAs 층(5)을 각각 증착하여 광검출기를 형성하는 제 2공정과,

상기 광검출기를 패턴하여 광검출기 도파로 메사 패턴을 형성하는 제 3공정과,

상기 메사 패턴 주위를 폴리이미드로 코팅하는 제 4공정과,

상기 검출기의 상부와 하부에 금속층(7, 8)을 형성하는 제 5공정과,

상기 광검출기의 표면에 SiNx 박막(11)을 전체적으로 증착하는 제 6공정과,

상기 폴리머 광도파로 코어층(10)을 패턴하여 폴리머 광도파로 코어층의 패턴을 형성하는 제 7공정과,

폴리머 광도파로 상부 클래드층(12)을 형성하는 제 8공정과,

상기 광검출기 부위에 증착된 폴리머 물질과 SiNx박막(11)을 제거하는 제 9공정과,

광파의 입출력을 위한 단면을 형성하여 광검출기가 집적된 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자를 형성하는 제 10 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaAs 기판을 사용한 광검출기가 집적된 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자 제작방법

3 3

제 2 항에 있어서,

제 1 공정에서, 상기 폴리머 광도파로 하부 클래드층(9)을 3-5㎛의 두께로 증착하고, 상기 폴리머 광도파로 코어층(10)을 4-6㎛의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판을 사용한 광검출기가 집적된 폴리머 도파로열 격자 파장 분할 광소자 제작방법

4 4

제 2 항에 있어서,

제 2 공정에서, GaAs 기판(1) 위에 n-GaAs 하부 클래드층(2)을 3-7㎛의 두께로 증착하고, i-InGaAs 흡수층(3)을 0

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