| 요약 |
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 리튬이온 이차전지 보호회로, DC-DC 변환기, 모터 등에 사용되는 저전압 대전류 전력소자에 관한 것이며, 특히 고집적 트렌치 게이트 전력소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 공정을 단순화하고, 온-저항 특성을 개선할 수 있는 트렌치 게이트 전력소자 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 웰/소오스 형성을 위해 별도의 마스크를 사용하지 않고 트렌치 게이트 마스크만을 사용하여 먼저 웰 영역과 소오스 영역을 형성한 후 트렌치 게이트를 형성하는 기술이다. 트렌치 게이트를 중심으로 웰 영역과 소오스 영역을 형성함으로서 측면 접합 깊이가 자동으로 정렬되어 종래와 같이 웰 마스크와 소오스 마스크를 사용하여 제조하는 것에 비해 마스크 정렬 오차를 줄일 수 있어 고집적화가 가능하기 때문에 전력소자의 주요 변수인 온-저항을 낮출 수 있으며, 소요되는 마스크의 수를 6장에서 4~5장으로 줄여 공정을 단순화할 수 있다. 트렌치 게이트, 전력소자, 스페이서, 마스크, 온-저항
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