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이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077274
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs)/갈륨비소(GaAs)의 화합물반도체로 구성되는 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : 이하 HBT 라 함)의 제작방법에 관한 것으로서, HBT 고유의 초고속 특성을 저해하는 외부 베이스(extrinsic base) 표면에서의 재결합 전류발생을 통제하도록 하기 위한 것이다.이러한 본 발명에 따른 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법은, HBT 에피 기판을 제작하는 제 1 단계와; 상기 HBT 에피 기판의 에미터와 베이스 영역을 정의하는 제 2 단계; 상기 HBT 에피 기판 위에 감광막과 저온에서 성장된 유전체 박막을 형성하고 2차례의 플라즈마 식각을 수행하여 오믹금속의 리프트오프를 위한 표면돌출부를 제작하는 제 3 단계; 상기 에미터와 베이스 영역의 표면상에 질화텅스텐/질소의 조성경사를 갖는 질화텅스텐/텅스텐의 금속 다중층으로 구성된 내열성 오믹전극을 형성하는 제 4 단계; 상기 오믹전극을 마스크층으로 사용하여 상기 베이스 영역의 표면에 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs) 공핍층을 재성장하는 제 5 단계; 및 상기 단계들의 결과물에 컬렉터전극을 형성하고 소자간 분리를 수행하여 단위 HBT를 제작하는 제 6 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019990062466 (1999.12.27)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0352375-0000 (2002.08.29)
공개번호/일자 10-2001-0058250 (2001.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.01.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시중구
3 박문평 대한민국 대전광역시유성구
4 민병규 대한민국 경기도광명시
5 이경호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-0181814-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
3 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2000-0011241-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0232431-68
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0278791-09
7 의견서
Written Opinion		 2001.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0314436-40
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0314446-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
10 등록결정서
Decision to grant		 2002.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0187661-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

GaAs와 AlGaAs로 구성된 화합물반도체 이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT)를 제작하는 방법에 있어서,

HBT 에피 기판을 제작하는 제 1 단계와;

상기 HBT 에피 기판의 에미터와 베이스 영역을 정의하는 제 2 단계;

상기 HBT 에피 기판 위에 감광막과 저온에서 성장된 유전체 박막을 형성하고 2차례의 플라즈마 식각을 수행하여 오믹금속의 리프트오프를 위한 표면돌출부를 제작하는 제 3 단계;

상기 에미터와 베이스 영역의 표면상에 질화텅스텐/질소의 조성경사를 갖는 질화텅스텐/텅스텐의 금속 다중층으로 구성된 내열성 오믹전극을 형성하는 제 4 단계;

상기 오믹전극을 마스크층으로 사용하여 상기 베이스 영역의 표면에 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs) 공핍층을 재성장하는 제 5 단계; 및

상기 단계들의 결과물에 컬렉터전극을 형성하고 소자간 분리를 수행하여 단위 HBT를 제작하는 제 6 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 제 3 단계는, 상기 에미터와 베이스 영역의 표면상의 제 1 층에 감광막층을 도포하고 제 2 층에 얇은 유전체층을 상온에서 성장시키 단계와, 상기 유전체층에 비등방성 패턴을 형성하고 상기 감광막층을 등방성 식각하여 오믹전극이 형성될 영역에 표면돌출부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 제 4 단계는,

상기 HBT 에피 기판 상의 제 1 층에는 질화텅스텐 금속, 제 2 층에는 질소의 조성경사를 갖는 질화텅스텐 금속, 제 3 층에는 순수 텅스텐금속을 증착하는 단계와, 상기 유전체층 상에 형성된 표면돌출부에 의해 금속배선의 단락을 유도한 다음 리프트오프하는 단계를 포함하여, 낮은 오믹 접촉저항과 고온 안정성을 갖는 에미터 전극과 베이스 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서, 제 5 단계는,

상기 3중층의 텅스텐계 오믹전극을 마스크층으로 하여 실리콘(Si) 도핑농도가 2 ~ 3 x 1016 cm-3 정도인 알루미늄 갈륨비소 공핍층을 50 ~ 60 nm 의 두께로 성장하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
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