| 1 |
1
자연 산화막이 생성된 기판 위에 단결정 실리콘 반도체 박막을 성장하는 방법에 있어서, 상기 자연 산화막이 생성된 기판 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 박막을 500 ℃ 이하에서 증착하는 증착 단계; 상기 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판을 700 ℃ 이상에서 열처리하여 상기 자연 산화막이 분쇄되면서 단결정화되도록 하는 열처리 단계; 및 상기 비정질 실리콘 박막의 단결정화 후, 온도를 550 ~ 750 ℃ 범위에서 단결정의 실리콘 박막을 증착하는 단결정 박막 증착 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막을 저온 성장하는 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 증착단계의 비정질 실리콘박막의 두께는 적어도 20 nm 이상인 것을 특징으로 하는 반도체박막을 저온성장하는 방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 증착단계의 불순물은 붕소(B), 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb)등과 같은 p형, n형 불순물들 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체박막을 저온성장하는 방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 증착단계의 불순물은 1×1019/cm3 ∼ 5×1022/cm3의 고농도로 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체박막을 저온성장하는 방법
|
| 7 |
7
자연 산화막이 생성된 기판 위에 다결정 실리콘 반도체 박막을 성장하는 방법에 있어서, 상기 자연 산화막이 생성된 기판 위에 비정질 실리콘 박막을 500 ℃ 이하에서 증착하는 증착 단계; 상기 비정질 실리콘의 결정화를 억제하면서 다결정 실리콘 박막 성장을 위하여 700 ℃ 이상의 온도로 상승시키면서 열처리를 수행하는 열처리 단계; 및 상기 결과물 상에 다결정 실리콘 박막을 550 ~ 750 ℃ 범위에서 증착하는 다결정 박막 증착 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막을 저온 성장하는 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 증착단계의 비정질 실리콘박막은 불순물을 도핑하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체박막을 저온성장하는 방법
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서, 상기 증착단계의 비정질 실리콘박막은 붕소(B), 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb) 등과 같은 p형, n형 불순물들 중 어느 하나의 불순물을 1×1019/cm3 이하의 저농도로 도핑하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체박막을 저온성장하는 방법
|
| 10 |
10
제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리 단계의 온도조절율은 100℃/sec 이상인 것을 특징으로 하는 반도체박막을 저온성장하는 방법
|
