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소정의 하부층이 형성된 기판 상에 제1 희생절연막을 형성하는 제1 단계; 상기 제1 희생절연막 상에 제1 감광막을 도포하고, 제1 포토마스크를 사용한 마스크 공정을 실시하여 게이트 다리 영역을 포함하는 제1 영역을 노출시키는 제1 감광막 패턴을 형성하는 제2 단계; 상기 제1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 노출된 상기 제1 희생절연막을 선택 식각하는 제3 단계; 상기 제3 단계 수행 후 상기 제1 포토레지스트 패턴이 제거된 전체 구조 표면을 따라 상기 제1 희생절연막과 식각 선택비를 가지는 제2 희생절연막을 형성하는 제4 단계; 상기 제4 단계를 마친 전체 구조 상부에 제2 감광막을 도포하고, 상기 제1 포토마스크를 일정 선폭만큼 쉬프트 시킨 상태에서 마스크 공정을 실시하여 상기 제1 영역의 일부를 포함한 제2 영역을 노출시키는 제2 감광막 패턴을 형성하는 제5 단계; 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 노출된 상기 제2 희생절연막을 선택 식각하여 상기 게이트 다리 영역을 디파인하는 제6 단계; 상기 제6 단계 수행 후 상기 제2 감광막 패턴이 제거된 전체 구조 상부에 제3 감광막을 도포하고, 마스크 공정을 실시하여 상기 게이트 다리 영역과 그 양측으로 소정 선폭을 가지는 게이트 머리 영역을 디파인하는 제3 감광막 패턴을 형성하는 제7 단계; 상기 제7 단계 수행 후 전체 구조 상에 게이트용 금속막을 형성하는 제8 단계; 및 상기 제2 감광막 패턴을 리프트 오프시켜 티형 게이트를 형성하는 제9 단계 를 포함하여 이루어진 미세 티형 게이트 형성방법
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