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식각하고자 하는 기판에 전압을 인가하여 에너지대의 구부러짐을 변화시킴으로써 기판 표면에 전위우물을 형성하여 식각하는 것을 특징으로 하는 에너지대 구부러짐을 이용한 반도체의 광전화학적 식각방법
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기판 위에 식각을 원하지 않는 부분에 빛이 투과되지 않도록 식각마스크를 형성하고, 기판의 한 부분에 전극으로 사용될 저항성접촉을 형성하여 전원에 연결하되 저항성접촉 부위와 전원에 연결되는 부위가 식각용액에 노출되지 않도록 절연막을 형성하며, 전원이 연결된 기판과 전원이 연결된 다른 전극을 식각용액에 담근 뒤, 기판이 식각용액보다 낮은 전위를 갖도록 전압을 가하여 기판 표면에서 에너지대가 구부러져 홀의 우물이 생성되도록 하고, 기판의 에너지 갭보다 큰 에너지의 빛을 조사하여 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 에너지대 구부러짐을 이용한 질화물 반도체의 광전화학적 식각방법
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제2항에 있어서, 상기 식각마스크는, 식각용액에 용해되지 않는 금속의 불투명막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지대 구부러짐을 이용한 질화물 반도체의 광전화학적 식각방법
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제3항에 있어서, 상기 식각마스크를 형성하는 금속은, Ti, Pt, Ni, Au, W 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 에너지대 구부러짐을 이용한 질화물 반도체의 광전화학적 식각방법
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제2항에 있어서, 상기 식각마스크는, 자외선이 투과하지 않을 정도의 충분한 두께의 절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지대 구부러짐을 이용한 질화물 반도체의 광전화학적 식각방법
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제2항에 있어서, 상기 식각용액은, 빛의 조사만으로 식각이 가능한 것 보다 낮은 농도인 것을 특징을 에너지대 구부러짐을 이용한 질화물 반도체의 광전화학적 식각방법
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제2항 또는 제6항에 있어서, 상기 식각용액은, KOH, NaOH, HCl 중 어느 하나인 것을 특징을 에너지대 구부러짐을 이용한 질화물 반도체의 광전화학적 식각방법
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제2항에 있어서, 상기 식각하고자 하는 기판이, 헤테로 구조로 성장된 기판인 것을 특징을 에너지대 구부러짐을 이용한 질화물 반도체의 광전화학적 식각방법
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